公开(公告)号：CN100375270C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200480022969.3

申请日：2004-08-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王耕 ,  凯文·麦克斯塔 ,  玛丽·E.·韦伯莱特 ,  李玉君 ,  杜里赛蒂·奇达姆巴奥

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明提供了一种形成深沟槽垂直晶体管的方法。形成具有在掺杂半导体基片上的侧壁的深沟槽。半导体基片包括在其表面上的反掺杂的漏极区和在所述侧壁旁边的沟道。漏极区具有顶层面和底层面。反掺杂的源极区形成所述基片上与沟道之下的侧壁并置。栅氧化层形成在沟槽侧壁上与栅导体并置。实施使漏极区的底层面之下的栅导体凹陷的步骤，随后，在源极区之下的沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入，以及在源极区之下的沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。

公开(公告)号：CN1836322A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200480022969.3

申请日：2004-08-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王耕 ,  凯文·麦克斯塔 ,  玛丽·E.·韦伯莱特 ,  李玉君 ,  杜里赛蒂·奇达姆巴奥

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10864 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明提供了一种形成深沟槽垂直晶体管的方法。形成具有在掺杂半导体基片上的侧壁的深沟槽。半导体基片包括在其表面上的反掺杂的漏极区和在所述侧壁旁边的沟道。漏极区具有顶层面和底层面。反掺杂的源极区形成所述基片上与沟道之下的侧壁并置。栅氧化层形成在沟槽侧壁上与栅导体并置。实施使漏极区的底层面之下的栅导体凹陷的步骤，随后，在源极区之下的沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入，以及在源极区之下的沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。