多层光子拓扑绝缘体的反射透射谱分析方法及系统

    公开(公告)号:CN114218811B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202111668338.0

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本发明涉及多层光子拓扑绝缘体的反射透射谱分析方法及系统,方法包括以下步骤:S1、建立多层光子拓扑绝缘体媒质与普通介质构造的多层周期结构模型;S2、计算多层光子拓扑绝缘体媒质层和普通介质层中的电场和磁场;S3、确定两种材料层交界面处的边界条件;S4、计算各个界面的关系矩阵,并计算多层周期结构的传输矩阵;S5、求解光子拓扑绝缘体媒质与普通介质构造的单层结构的反射系数和透射系数。本发明涉及基于传输矩阵计算方法,为分析多层且具有各向异性的特异材料提供了一种光学方法,并且旋转坐标轴的方法,让模型更具备普适性,产生有益的技术效果。

    多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法

    公开(公告)号:CN112685903B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202011637255.0

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法,包括以下步骤:步骤一:建立多层各向异性拓扑绝缘体结构模型;步骤二:确定各向异性拓扑绝缘体的电磁特性;步骤三:确定边界条件;步骤四:计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的传输矩阵;步骤五:计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的反射系数;步骤六:计算所述模型下的反射电磁波的极化偏转率和克尔转角;本发明通过传输矩阵法计算了多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应,能够准确地分析多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转特性;本发明能够准确地反映出各向异性拓扑绝缘体表面的磁化方向、层厚度、拓扑磁电极化率、入射角以及各向异性拓扑绝缘体层数等影响因素下反射电磁波的克尔偏转效应。

    二能级原子与饱和铁氧体界面间的Casimir-Polder扭矩的计算方法

    公开(公告)号:CN112687346B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202011637213.7

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明提供了一种二能级原子与饱和铁氧体界面间的Casimir‑Polder扭矩的计算方法,按如下步骤进行:S1:建立原子和铁氧体界面模型;S2:确定铁氧体材料板的电磁特性;S3:计算Casimir‑Polder扭矩的模态展开式;S4:计算格林函数形式下的Casimir‑Polder扭矩;S5:求得此模型下的Casimir‑Polder扭矩,本发明所述方法,发明关于原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩的计算方法,能准确地分析原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩、反映出频率和板间距对原子与饱和铁氧体界面间Casimir‑Polder扭矩的影响。

    基于偏振复用的光子时间拉伸方法及系统

    公开(公告)号:CN117595931A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311487360.4

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了基于偏振复用的光子时间拉伸系统及方法,系统包括锁模激光器、第一色散光纤、差分二进制相移键控调制器、射频信号发生器、分束器、射频信号延迟单元、第二色散光纤、波分解复用器、N个偏振分束器、2N个光电检测器及信号拼接处理模块;锁模激光器与差分二进制相移键控调制器通过第一色散光纤连接;射频信号发生器与分束器连接;分束器连接差分二进制相移键控调制器和射频信号延迟单元;射频信号延迟单元连接差分二进制相移键控调制器;差分二进制相移键控调制器通过第二色散光纤与波分解复用器连接;波分解复用器与N个偏振分束器连接,每个偏振分束器连接两个光电检测器,2N个光电检测器均与信号拼接处理模块连接。

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