分离栅IGBT结构
    3.
    发明公开
    分离栅IGBT结构 审中-实审

    公开(公告)号:CN119451147A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411557489.2

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明公开一种分离栅IGBT结构,属于半导体器件领域。包括从下到上依次设置的集电极金属、P型集电区、N型场截止层、N型漂移区,N型漂移区上方依次设有N型存储层、P型体区和发射极金属,P型体区内设有N+接触区,发射极金属底部中间位置设有第一氧化层介质,所述的N型漂移区内设有十字形沟槽,所述十字形沟槽将N型漂移区、N型存储层、P型体区和N+接触区均分为左右两个部分。十字形沟槽顶部设有栅氧化层,底部设有第二氧化层介质,十字形沟槽顶部设有将栅氧化层均分为左右两部分的栅极多晶硅,十字形沟槽左右两个宽部内均设有分离栅多晶硅。本发明提供的分离栅IGBT结构,能够达到米勒电容和导通压降得到有效降低的效果。

    一种快恢复二极管及其制备方法、制备系统、存储介质

    公开(公告)号:CN119300366A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411380666.4

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明公开一种快恢复二极管及其制备方法、制备系统、存储介质,属于电子设备领域。二极管的正面具有P型有源区、终端P型区域以及覆盖于P型有源区和终端P型区域的氧化层与正面金属;背面具备相互间隔排列且呈现上窄下宽形貌的P型离子注入区。该方法包括N型半导体衬底,进行Taiko减薄至目标厚度;在晶圆正面进行光刻,离子注入;翻转晶圆,对晶圆背面进行再次光刻与P型离子注入;对晶圆进行退火处理;依次对晶圆正面进行刻蚀与淀积工艺;晶圆背面进行离子注入;对晶圆进行电子辐照工艺。本发明提供的快恢复二极管及其制备方法,能够达到二极管可靠性高、注入有效空穴浓度高的效果。

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