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公开(公告)号：CN119333693A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411874813.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 国网(西安)环保技术中心有限公司
Abstract: 本发明属于影像采集技术领域，公开了一种输电线路影像采集设备，包括摄像头，摄像头顶部转动连接有固定杆，固定杆顶部设置有太阳能板，固定杆后侧设置有安装架，摄像头左右两侧均开设有安装槽，安装槽内部固定安装有电动伸缩板，电动伸缩板伸缩端固定安装有第一电动推杆，第一电动推杆顶部固定安装有插杆，插杆顶部且位于太阳能板底部设置有固定结构，固定杆底端固定安装有防护块，防护块左右两侧均设置有第一安装块。通过对太阳能板、摄像头与固定杆的固定，在大风天气下，防止摄像头会产生抖动现象，提高摄像头安装的稳定性，防止摄像头安装的角度发生变化，不利于进行影响设备的使用。
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公开(公告)号：CN113839653B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111153240.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 国网(西安)环保技术中心有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，涉及保护电路领域，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接，通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号，使用LM211比较器与预定值进行比较，将比较信号经过光耦隔离输出后，直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护，同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚，双重保护。
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公开(公告)号：CN119333693B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411874813.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 国网(西安)环保技术中心有限公司
Abstract: 本发明属于影像采集技术领域，公开了一种输电线路影像采集设备，包括摄像头，摄像头顶部转动连接有固定杆，固定杆顶部设置有太阳能板，固定杆后侧设置有安装架，摄像头左右两侧均开设有安装槽，安装槽内部固定安装有电动伸缩板，电动伸缩板伸缩端固定安装有第一电动推杆，第一电动推杆顶部固定安装有插杆，插杆顶部且位于太阳能板底部设置有固定结构，固定杆底端固定安装有防护块，防护块左右两侧均设置有第一安装块。通过对太阳能板、摄像头与固定杆的固定，在大风天气下，防止摄像头会产生抖动现象，提高摄像头安装的稳定性，防止摄像头安装的角度发生变化，不利于进行影响设备的使用。
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公开(公告)号：CN116166915A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310172881.4
申请日：2023-02-27
Applicant: 西安交通大学 , 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 国网(西安)环保技术中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于改进GMRES的电力系统潮流计算方法及系统，输入电力系统数据和内外迭代法数据，设定计时零点，内外迭代法的迭代次数置0，使用支路追加法建立N×N维节点导纳矩阵；建立存储节点类型的向量，以及N维节点注入有功向量和无功向量；赋节点电压初值，建立初始N维节点电压幅值和相角向量，外迭代法收敛标志置0，建立第1次外迭代法的(N+M‑2)维右端向量；当右端向量不满足收敛条件时，建立第k次外迭代法的(N+M‑2)×(N+M‑2)维雅可比矩阵及(N+M‑2)维修正方程组，使用改进GMRES方法求解第k次外迭代法的(N+M‑2)维修正方程组；当不满足内迭代法收敛时，结束外迭代法；根据最后一次外迭代法得到的N维节点电压幅值、相角向量计算并输出潮流计算结果，有效提高了迭代收敛性，减少了耗时。
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