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公开(公告)号：CN112840199A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980065132.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 理音株式会社 , 铠侠股份有限公司
Abstract: 本发明提供粒子测定装置、校正方法和测定装置，能使用校正用粒子简单地进行拍摄目标粒子等对象物的测定装置的校正。图像分析部(21)取得以时间间隔Δt得到的多个拍摄图像，(a)在校正模式下，根据所述多个拍摄图像中的校正用粒子的像素单位的光点的位移，确定校正用粒子的光点的均方位移ΔMS－cal，(b)在测定模式下，根据所述多个拍摄图像中的目标粒子的光点的像素单位的位移，确定目标粒子的光点的均方位移ΔMS。并且粒径分析部(22)(c)在分析模式下，根据校正用粒子的光点的均方位移ΔMS－cal以及校正用粒子的粒径dcal，从目标粒子的光点的均方位移ΔMS导出所述目标粒子的粒径d。
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公开(公告)号：CN112840199B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980065132.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 理音株式会社 , 铠侠股份有限公司
IPC: G01N15/0227 , G01N15/10 , G01N15/14 , G01N15/075 , G01N15/1433
Abstract: 本发明提供粒子测定装置、校正方法和测定装置，能使用校正用粒子简单地进行拍摄目标粒子等对象物的测定装置的校正。图像分析部(21)取得以时间间隔Δt得到的多个拍摄图像，(a)在校正模式下，根据所述多个拍摄图像中的校正用粒子的像素单位的光点的位移，确定校正用粒子的光点的均方位移ΔMS－cal，(b)在测定模式下，根据所述多个拍摄图像中的目标粒子的光点的像素单位的位移，确定目标粒子的光点的均方位移ΔMS。并且粒径分析部(22)(c)在分析模式下，根据校正用粒子的光点的均方位移ΔMS－cal以及校正用粒子的粒径dcal，从目标粒子的光点的均方位移ΔMS导出所述目标粒子的粒径d。
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公开(公告)号：CN110890289B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811552546.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 铠侠股份有限公司
Inventor： 林秀和
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 实施方式提供一种能够适当地去除相互贴合的基板的一部分的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置包含安装部，该安装部在包含相互贴合的第1基板与第2基板的被加工基板，以包围所述第1基板的方式安装具有环状的形状的环状部件。所述装置还包含保持安装了所述环状部件的所述被加工基板的保持部。所述装置还包含对利用所述保持部所保持的所述被加工基板的所述第2基板供给第1流体的第1流体供给部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116798958A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210987759.8
申请日：2022-08-17
Applicant: 铠侠股份有限公司
Inventor： 林秀和
IPC: H01L21/8238 , H10B80/00 , H01L27/092 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包含如下步骤：在第1衬底上形成第1膜；在所述第1膜内的第1部分形成多孔层，并在所述第1膜内的第2部分形成非多孔层；在所述第1膜上形成包含第1器件的第2膜；在第2衬底上形成包含第2器件的第3膜；及使所述第1衬底的所述第2膜与所述第2衬底的所述第3膜对向地贴合。进而，所述半导体装置包含第1区域与第2区域。进而，所述第1器件与所述第2器件位于所述第1区域，所述第1部分跨及所述第1区域与第2区域而配置，所述第2部分位于所述第2区域。
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公开(公告)号：CN114078759A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110087368.6
申请日：2021-01-22
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/60 , H01L25/18 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括：在第1衬底上形成第1半导体层，所述第1半导体层包含第1浓度的杂质原子；在所述第1半导体层上形成第2半导体层，所述第2半导体层包含比所述第1浓度高的第2浓度的杂质原子；以及形成多孔层，所述多孔层是所述第2半导体层的至少一部分经多孔化而成的。所述方法还包括：在所述多孔层上形成第1膜，所述第1膜包含第1元件；准备第2衬底，所述第2衬底上设置着包含第2元件的第2膜；以及将所述第1衬底和所述第2衬底以隔着所述第1膜及所述第2膜的方式贴合。所述方法还包括：以在所述第1衬底上残存所述多孔层的第1部分，在所述第2衬底上残存所述多孔层的第2部分的方式，分离所述第1衬底和所述第2衬底。
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公开(公告)号：CN115815815A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111478813.8
申请日：2021-12-06
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/14 , B23K26/18 , H01L21/683
Abstract: 一个实施方式所涉及的激光加工装置具有：载物台，其将多个基板保持在同心圆上，并以同心圆的中心为轴旋转；以及激光照射装置，其具有控制部，并且能够在同心圆的半径方向上移动，该控制部以使相邻的多个激光光点隔开的方式控制红外脉冲激光的输出。在多个激光光点的直径为x、在载物台的旋转方向上相邻的多个激光光点的间隔为L1时，控制部可以以满足x
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公开(公告)号：CN113972144A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110214693.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法是将第1半导体衬底与第2半导体衬底贴合而形成积层体，在设置在所述第1半导体衬底的外周部与所述第2半导体衬底的外周部间的间隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材，将所述第1填充材嵌入所述间隙后，以与所述第1填充材相邻的方式将第2填充材嵌入所述间隙，并使所述第2半导体衬底变薄，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度。
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公开(公告)号：CN117718600A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310975624.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 铠侠股份有限公司
IPC: B23K26/36 , B23K26/70 , B23K101/40
Abstract: 一实施方式所涉及的激光加工装置具有：载物台，其保持基板并旋转；以及激光照射装置，其能够在旋转的半径方向上移动，并具有控制部，当在载物台的旋转方向上相邻的激光光点的间隔为L1、在旋转的半径方向上相邻的激光光点的间隔为L2时，该控制部以使L1/L2满足1.2以上且10以下的方式控制红外脉冲激光的输出。
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