蓄电设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108780869A

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201680083456.6

    申请日:2016-03-14

    Inventor: 樋口昌史

    CPC classification number: H01G11/12 H01G11/52 H01M2/18 H01M2/34 H01M10/04

    Abstract: 本发明提供一种薄型且小型的蓄电设备。分隔件(33)包含第1端部(33e1)和第2端部(33e2)。第1端部(33e1)在俯视时位于比正极(31)及负极(32)各自相对的一对边的其中一侧边更外侧的位置。第2端部(33e2)在俯视时位于比正极(31)及负极(32)各自相对的一对边的其中另一侧边更外侧的位置。第1端部(33e1)的至少前端部和第2端部(33e2)的至少前端部,分别向层叠方向T的一侧弯曲。

    二次电池及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111095659B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201880055630.5

    申请日:2018-08-20

    Inventor: 樋口昌史

    Abstract: 本发明提供一种二次电池的制造方法,即使在二次电池具有缺口部的情况下,其也能够在整个二次电池中更充分地防止因为气泡引起的充电不均。本发明涉及一种二次电池的制造方法,其包含对二次电池前驱体50进行初始充电的工序,在所述二次电池前驱体中,电极组件1和电解质被收容在外包装体3中,所述电极组件包含正极、负极以及配置于该正极与该负极之间的隔膜,并在俯视观察下具有缺口部,在所述初始充电工序中,使所述二次电池前驱体50以在铅直方向最高位置处具有开口部6的方式竖立设置,并且,边从所述开口部6释放所述二次电池前驱体内产生的气体,边进行所述初始充电。

    蓄电设备
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108780869B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201680083456.6

    申请日:2016-03-14

    Inventor: 樋口昌史

    Abstract: 本发明提供一种薄型且小型的蓄电设备。分隔件(33)包含第1端部(33e1)和第2端部(33e2)。第1端部(33e1)在俯视时位于比正极(31)及负极(32)各自相对的一对边的其中一侧边更外侧的位置。第2端部(33e2)在俯视时位于比正极(31)及负极(32)各自相对的一对边的其中另一侧边更外侧的位置。第1端部(33e1)的至少前端部和第2端部(33e2)的至少前端部,分别向层叠方向T的一侧弯曲。

    二次电池及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111095659A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880055630.5

    申请日:2018-08-20

    Inventor: 樋口昌史

    Abstract: 本发明提供一种二次电池的制造方法,即使在二次电池具有缺口部的情况下,其也能够在整个二次电池中更充分地防止因为气泡引起的充电不均。本发明涉及一种二次电池的制造方法,其包含对二次电池前驱体50进行初始充电的工序,在所述二次电池前驱体中,电极组件1和电解质被收容在外包装体3中,所述电极组件包含正极、负极以及配置于该正极与该负极之间的隔膜,并在俯视观察下具有缺口部,在所述初始充电工序中,使所述二次电池前驱体50以在铅直方向最高位置处具有开口部6的方式竖立设置,并且,边从所述开口部6释放所述二次电池前驱体内产生的气体,边进行所述初始充电。

    蓄电设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109196704A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201780033284.6

    申请日:2017-02-15

    Abstract: 提供一种俯视观察时的形状为非矩形形状的薄型蓄电设备。蓄电设备(1)包括壳体(2)、电极体(3)以及电解质(4)。壳体(2)具有第一主壁部(21)和第二主壁部(22)。第二主壁部(22)与第一主壁部(21)在厚度方向上相对。壳体(2)在俯视观察时的形状为具有缺口部(2a)的矩形形状。电极体(3)配置于壳体(2)内。电极体(3)具有第一电极(31)、第二电极(32)以及间隔件(33)。间隔件(33)配置在第一电极(31)与第二电极(32)之间。电极体(3)是一体化的。电解质(4)填充于壳体(2)内。电极体(3)的弯折强度高于第一主壁部(21)的弯折强度。第一主壁部(21)与电极体(3)接合在一起。

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