公开(公告)号：CN107432076A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680012223.7

申请日：2016-02-22

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 金载浩 ,  榊田创

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/36 ,  B01J19/08 ,  B01J19/126 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其去掉电介质基板内部的长且复杂的气体流路，能够稳定地生成、维持等离子体，且不限于低气压，在中间气压及高气压下也能够生成高均匀性和高密度、且稳定的低温等离子体。微波等离子体处理装置具备电介质基板、微波输入部、微波传输带线路、接地导体、气体输入口、等离子体产生部、用于喷出等离子体的喷嘴等，所述气体输入口设在所述接地导体或微波传输带线路上，为了不泄漏微波，优选该气体输入口的直径比由气体输入口的剖面确定的屏蔽波长小。

公开(公告)号：CN107614427A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680006878.3

申请日：2016-01-21

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 饭泉阳子 ,  冈崎俊也 ,  榊田创 ,  金载浩

IPC: C01B32/168 ,  C01B32/159 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的课题在于，提供发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管及其制造方法，通过采用在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外光的方法，在大气中产生臭氧而使克量的氧原子导入至半导体单层碳纳米管中，能够获得发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管。

公开(公告)号：CN107614427B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201680006878.3

申请日：2016-01-21

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 饭泉阳子 ,  冈崎俊也 ,  榊田创 ,  金载浩

IPC: C01B32/168 ,  C01B32/159 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的课题在于，提供发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管及其制造方法，通过采用在大气中对半导体单层碳纳米管直接照射紫外光的方法，在大气中产生臭氧而使克量的氧原子导入至半导体单层碳纳米管中，能够获得发光能量发生了约300meV低能量化的半导体单层碳纳米管。