公开(公告)号：CN119318072A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202380045281.X

申请日：2023-06-05

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明

IPC: H01P1/16 ,  C01B32/26 ,  C23C16/511 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205 ,  H01P5/103 ,  H05H1/46

Abstract: 微波等离子体CVD装置(1)具备：腔室(10A)；载置台(110A)，在俯视腔室(10A)时设于腔室(10A)的中心部；同轴构造部(80A)，包括在俯视腔室(10A)时位于腔室(10A)的中心部且与腔室(10A)的内部共振模式的对称轴的轴向平行的中心导体(81)、以及位于中心导体(81)的周围的外部导体(82)；多个微波导入端口(20)、(20)、…，设于腔室(10A)的同轴构造部(80A)，以与腔室(10A)的内部共振模式相匹配的方式耦合；以及微波导入窗(30A)，一边将腔室(10A)与波导部(40A)压力隔离，一边使微波透过。

公开(公告)号：CN111492098A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081889.7

申请日：2018-09-19

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 大曲新矢 ,  山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种降低了位错密度的单晶金刚石。单晶金刚石(10)具备单晶金刚石层(2、3)。单晶金刚石层(2)形成于金刚石基板(1)之上，包含点缺陷。单晶金刚石层(3)配置在单晶金刚石层(2)之上。单晶金刚石层(2、3)具有比金刚石基板低的位错密度。

公开(公告)号：CN117377794A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037075.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明 ,  松前贵司 ,  仓岛优一 ,  日暮荣治 ,  高木秀树 ,  桧座秀一 ,  今村谦 ,  白柳裕介 ,  吉嗣晃治 ,  西村邦彦

IPC: C30B33/06

Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。

公开(公告)号：CN116670325A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202280008772.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田英明 ,  茶谷原昭义 ,  杢野由明

IPC: C23C16/511

Abstract: 微波等离子处理装置具备：谐振器，其包括容器；单一的微波振荡源，其对所述谐振器输出基准微波；波导管，其连接所述微波振荡源和所述谐振器；以及相位控制机构，其通过控制所述基准微波的相位，而生成相位与所述基准微波不同的改变微波，所述谐振器包括将所述基准微波导入所述谐振器内的一个或多个第一种导入部、以及将所述改变微波导入所述谐振器内的一个或多个第二种导入部，在所述谐振器内构成为，在所述基准微波叠加所述改变微波，从而改变在所述容器内产生的等离子球的位置、大小以及形状中的至少一个。