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公开(公告)号：CN104137284A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011933.4
申请日：2013-02-19
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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公开(公告)号：CN103732719A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280008581.2
申请日：2012-03-05
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 松下电器产业株式会社 , 琳得科株式会社
IPC: C09K11/06 , C07D213/16 , C07F15/00 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0087 , C07D213/16 , C07F5/02 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0072 , H01L51/008 , H01L51/009 , H01L51/5016
Abstract: 本发明提供磷光发光材料、磷光发光材料的制造方法以及磷光发光元件，即提供形成薄膜时的水平取向性等优异的磷光发光材料、这样的磷光发光材料的有效率的制造方法、以及使用这样的磷光发光材料的发光元件。其特征在于，是下述通式（1）表示的磷光发光材料，该磷光发光材料的制造方法，以及使用磷光发光材料的发光元件，磷光发光材料在分子内具有直链状的共轭体系结构、2-苯基吡啶配位基、中心金属和β-二酮型配位基。（通式（1）中，末端取代基R1和R2为氢原子、碳原子数1～20的烷基等；a～l和o～s为氢原子等；中心金属M为铂等；重复数m和n为0～4的整数）。
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公开(公告)号：CN104137284B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380011933.4
申请日：2013-02-19
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括：基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。
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公开(公告)号：CN104981531A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380044276.3
申请日：2013-08-05
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 琳得科株式会社
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , C07C211/56
CPC classification number: H01L51/0059 , C07C17/00 , C07C209/68 , C07C211/56 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0087 , H01L51/5012 , H01L51/5016
Abstract: 本发明提供制膜时的水平定向性等优异的有机发光材料、这种有机发光材料的高效的制造方法、以及使用这种有机发光材料的有机发光元件。上述有机发光材料等作为主体材料使用，由下述通式(1)表示，具有给体-受体型分子结构，上述给体-受体型分子结构是在中心部位包含电子受体性的四氟亚芳基结构并在其两末端介由电子给体性的亚芳基分别包含二苯胺结构而成的。(通式(1)中，取代基R1～R4和a～h各自独立地为氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的取代烷基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数6～20的取代芳基或者氨基。)。
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公开(公告)号：CN103732719B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280008581.2
申请日：2012-03-05
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 松下电器产业株式会社 , 琳得科株式会社
IPC: C07D213/16 , C09K11/06 , C07F15/00 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0087 , C07D213/16 , C07F5/02 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L51/0072 , H01L51/008 , H01L51/009 , H01L51/5016
Abstract: 本发明提供磷光发光材料、磷光发光材料的制造方法以及磷光发光元件，即提供形成薄膜时的水平取向性等优异的磷光发光材料、这样的磷光发光材料的有效率的制造方法、以及使用这样的磷光发光材料的发光元件。其特征在于，是下述通式（1）表示的磷光发光材料，该磷光发光材料的制造方法，以及使用磷光发光材料的发光元件，磷光发光材料在分子内具有直链状的共轭体系结构、2-苯基吡啶配位基、中心金属和β-二酮型配位基。（通式（1）中，末端取代基R1和R2为氢原子、碳原子数1～20的烷基等；a～l和o～s为氢原子等；中心金属M为铂等；重复数m和n为0～4的整数）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110494531B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780079513.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 九州有机光材股份有限公司
IPC: C09K11/06 , H10K50/11 , C07D251/16 , C07D401/10 , C07D403/10
Abstract: 本发明的由下述通式表示的化合物的发光特性优异。R1及R2表示氟化烷基，D表示哈米特的σp值为负的取代基，A表示哈米特的σp值为正的取代基。
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公开(公告)号：CN115485939A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180014309.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 株式会社考拉科技 , 国家科研中心 , 索邦大学 , 延世大学校产学协力团 , 国立大学法人九州大学
Inventor： A·德阿莱奥 , J·C·M·里比耶勒 , F·本切克 , V·S·F·普拉西德 , 侭田正史 , 安达千波矢
Abstract: 由通式(1)表示的化合物具有优异的激光发射特性。G1和G2为H或取代基；FL1和FL2由通式(2)表示；BT由通式(4)表示；且n1、n2及m为1至5。通式(1)
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公开(公告)号：CN114930563A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008441.4
申请日：2021-01-06
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 九州有机光材股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光材料，其发光效率或发光寿命得到改善，所述发光材料除了包含形成激基复合物的供体化合物D和受体化合物A以外，还包含调节化合物N，且HOMO(D)＞HOMO(N)＞HOMO(A)、LUMO(D)＞LUMO(N)+0.1eV及LUMO(N)＞LUMO(A)。
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公开(公告)号：CN108473424B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201680076802.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 九州有机光材股份有限公司 , 国立大学法人九州大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种化合物、发光材料及有机发光元件。本发明的具有下述通式所表示的结构的化合物放射延迟荧光，作为发光材料有用。R1、R2、R4及R5中的3个以上表示9‑咔唑基、10‑吩噁嗪基或10‑吩噻嗪基。其余的R3表示氢原子或其它取代基，但不是氰基。另外，R3不是芳基、杂芳基、炔基。
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公开(公告)号：CN111303150A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010144536.6
申请日：2020-03-04
Applicant: 苏州大学 , 国立大学法人九州大学
IPC: C07D471/16 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一类新型高效窄半峰宽的聚集态发光材料——氮杂三角烯衍生物，其制备方法以及在电子器件中的用途，本发明还涉及所述电子器件本身。特别是，本发明所涉及的氮杂三角烯衍生物在稀溶液中表现出弱的单体荧光发射，而其在聚集态下表现出不同于单体荧光特征的明显红移的发光光谱，且具有极高的荧光量子产率及高效的热激活延迟荧光的性质。因此以该类氮杂三角烯作为荧光染料制备成的电子器件具有高效率以及高色纯度的优点。
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