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公开(公告)号：CN108293281A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069408.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。
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公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN107078222B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , AGC , 株式会社
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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公开(公告)号：CN111406324A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880076573.9
申请日：2018-10-30
Applicant: AGC株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L31/0248 , H01L51/50
Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075205A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780014378.9
申请日：2017-02-23
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , AGC株式会社
IPC: H01L29/786 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01L21/336 , H01L51/50
Abstract: 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。
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公开(公告)号：CN102574727B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080046377.0
申请日：2010-10-13
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , C03C3/066 , C03C3/068 , C03C3/14 , C03C3/16 , C03C3/19 , C03C3/21 , C03C8/04 , C03C8/08 , C03C17/007 , G02B5/0278
Abstract: 本发明涉及有机LED元件的散射层用玻璃，其中，以氧化物为基准用摩尔％表示，所述有机LED元件的散射层用玻璃含有0～20％的P2O5、15～60％的B2O3、15～28％的Bi2O3和20～50％的ZnO，P2O5的含量除以ZnO的含量所得到的值小于0.48，P2O5和B2O3的含量的合计量为30～60％，P2O5和B2O3的含量的合计量超过50％时P2O5的含量为10％以下，除了以杂质形式含有的情况以外，实质上不含有铅(PbO或Pb3O4)、Li2O、Na2O和K2O。
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公开(公告)号：CN102292302A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005624.2
申请日：2010-01-21
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/04 , C03C3/21 , C03C8/08 , C03C17/008 , C03C2217/48 , C03C2217/77 , H05B33/02 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。
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公开(公告)号：CN102292301A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005645.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/04 , C03C3/16 , C03C8/08 , C03C8/14 , C03C17/008 , C03C17/42 , C03C2217/48 , H01L51/5268
Abstract: 本发明提供有机LED元件的散射层中使用的玻璃或者使用该散射层的有机LED元件。本发明的有机LED元件，其特征在于，具有：透明基板；设置在透明基板上的第一电极；设置在第一电极上的有机层；和设置在有机层上的第二电极，并且具有散射层，所述散射层以氧化物基准的摩尔％表示含有15～30％的P2O5，5～25％的Bi2O3，5～27％的Nb2O5和4～35％的ZnO，并且包含Li2O、Na2O和K2O的碱金属氧化物的含量总计为5质量％以下。
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公开(公告)号：CN102292300A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005567.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/04 , C03C3/16 , C03C8/08 , C03C8/16 , C04B41/009 , C04B41/5022 , C04B41/86 , H01L51/0096 , H01L51/5268 , C04B35/00
Abstract: 本发明提供具有高折射率和低温软化性、并且平均热膨胀系数小的玻璃组合物、以及在基板上具有该组合物的构件。本发明的玻璃组合物，其特征在于，折射率(nd)为1.88以上且2.20以下，玻璃化转变温度(Tg)为450℃以上且490℃以下，以及50～300℃的平均热膨胀系数(α50-300)为60×10-7/K以上且90×10-7/K以下，并且Bi2O3的含量以氧化物基准的摩尔％表示为5～25％。
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