一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111855337A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201910345110.4

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明涉及一种制备高纯钌靶EBSD样品的方法,属于EBSD试样制备技术领域。将高纯钌靶线切割成待测试样,进行机械磨抛,清洁干净后再用二氧化硅悬浮液抛光20-30分钟,抛光速度逐渐减慢,最后用清水将试样抛光20-30秒;用中性洗涤剂清洁试样表面,并在水龙头下冲洗试样表面,直至样品表面充分清洗干净,最后吹风机冷风吹干。本发明操作简便,能够去除高纯钌靶的表面机械应力,同时不给样品表面带来污染及组织改变,获得真实高质量的测试样品。

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