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公开(公告)号：CN112865782A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN112953488B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110194318.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。
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公开(公告)号：CN112865782B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110193663.X
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN112953488A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110194318.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。
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公开(公告)号：CN112821882B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202011614038.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K3/3565
Abstract: 本发明提供的可切换工作点的高性能施密特触发器，涉及半导体集成电路设计领域，包括正向阈值调节模块、负向阈值调节模块和选通信息号模块，通过选通信号模块，能够在两种工作点之间的切换，既能够保证电路的多信号兼容能力，也能够保证在各个工作点保持良好的抗干噪声扰能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112821882A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011614038.X
申请日：2020-12-30
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K3/3565
Abstract: 本发明提供的可切换工作点的高性能施密特触发器，涉及半导体集成电路设计领域，包括正向阈值调节模块、负向阈值调节模块和选通信息号模块，通过选通信号模块，能够在两种工作点之间的切换，既能够保证电路的多信号兼容能力，也能够保证在各个工作点保持良好的抗干噪声扰能力。
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公开(公告)号：CN112769426A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110194269.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提出了一种基于噪声信号延时叠加的自锁定噪声抑制电路，通过合理设置噪声信号的锁定脉冲宽度，能够有效的抑制噪声信号的传播路径，同时不影响正常工作信号的传播；且其电路结构与所用模块简单、占用面积小，具有较高的可靠性与应用价值。
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公开(公告)号：CN215120762U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120383322.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本实用新型提供的一种抗单粒子瞬态与噪声干扰的高压电平移位电路，结合共模噪声抑制与冗余加固的原理，提供了双节点触发耦合的高压电平移位电路结构，不仅可以实现对LDMOS功率晶体管单粒子瞬态脉冲的免疫，而且能够有效的抑制电路中的共模噪声，展现了良好的太空应用前景。
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公开(公告)号：CN214851176U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120383290.8
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K17/687
Abstract: 本实用新型提供的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，涉及侧驱动电路，通过对输入信号进行降频，高压侧的RC倍频电路实现固定脉宽信号的倍频，整个过程没有增加单路LDMOS功率晶体管的开关频率，有效的降低了高侧电平移位电路的功耗。
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公开(公告)号：CN215120759U
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202120382750.5
申请日：2021-02-20
Applicant: 国家超级计算无锡中心
IPC: H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本实用新型提出了一种基于延时自锁定的噪声抑制高压电平移位电路，通过合理设置噪声信号的锁定脉冲宽度，能够有效的抑制噪声信号的传播路径，同时不影响正常工作信号的传播；且其电路结构与所用模块简单、占用面积小，具有较高的可靠性与应用价值。
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