公开(公告)号：CN113130671A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911398836.0

申请日：2019-12-30

Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 ,  国家电投集团新能源科技有限公司

Inventor： 王伟 ,  赵晓霞 ,  田宏波 ,  周永谋 ,  宗军 ,  李洋 ,  杨文魁

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明提供了硅异质结太阳电池及其制备方法。该硅异质结太阳电池包括：基材，基材具有相对设置的正面和背面；铜薄膜电极，铜薄膜电极设置在整个背面的一侧；图形化的铜栅线电极，铜栅线电极设置在所述正面的一侧。相比正面电极和背面电极均是图形化的铜栅线电极，本申请中背面电极为整面的铜薄膜电极，无需将其进行图形化，即可以节省背面电极图形化等工艺流程和光刻掩膜的使用，从而有效地降低铜电极的制作成本，进而降低硅异质结太阳电的整体制备成本；而且，整面的铜薄膜电极可以有效降低太阳电池的串联电阻，进而提高太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN211828779U

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201922326551.8

申请日：2019-12-20

Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 ,  国家电投集团新能源科技有限公司

Inventor： 王伟 ,  赵晓霞 ,  宫元波 ,  田宏波 ,  宗军 ,  周永谋 ,  李洋 ,  杨文魁

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。