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公开(公告)号：CN119604163A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411673034.7
申请日：2024-11-21
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本公开提出一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法，包括：获取基底的平整度；在基底上涂布溶液，并根据基底的平整度控制涂布位置，以使基底上形成处于第一厚度范围的溶液湿膜；获取湿膜不同位置的厚度；对湿膜吹气，并根据湿膜对应位置的厚度控制吹气的位置、角度和流速，以使湿膜形成处于第二厚度范围的干湿膜；对干湿膜进行结晶处理，以使干湿膜形成处于第三厚度范围的干膜。在本公开的一种基于粗糙不平整基底的物质沉积方法中，利用涂布工艺的闭环控制以及吹气工艺的闭环控制，实现了溶液的均匀沉积，从而使得结晶后的干膜能够形成厚度均一且材料基本元素分布均匀的薄膜，进而有效保证了光学吸收和器件性能。
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公开(公告)号：CN114242805B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202111432647.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC: H10F77/20 , H10F10/166 , H10F71/10
Abstract: 本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN113937192B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110872638.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体，沉积第一本征非晶硅薄膜；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜。本发明的方法能够在抑制外延的基础上降低对衬底表面的损伤，降低界面载流子复合，提高钝化效果，提高了电池开路电压和转换效率。
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公开(公告)号：CN118156349A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211520994.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/055 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/052
Abstract: 本发明公开了一种高效BIPV光伏系统，所述高效BIPV光伏系统包括光伏电池、前封装层、背封装层、前盖板、背盖板、前修饰层和背修饰层，所述前封装层设置在所述光伏电池的前表面上，所述背封装层设置在所述光伏电池的后表面上，所述前盖板设置在所述前封装层的前表面上，所述背盖板设置在所述背封装层的背表面上，所述前修饰层设置在所述前盖板的前表面和所述光伏电池的前表面之间，所述背修饰层设置在所述背盖板的背表面和所述光伏电池的背表面之间。本发明实施例的高效BIPV光伏系统通过嵌入前修饰层和背修饰层，可以增强光伏电池对光的利用率，从而提高光伏电池的效率，增加光伏系统的发电量，并且不会降低采光效果。
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公开(公告)号：CN117750850A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211109414.9
申请日：2022-09-13
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电子传输层制备方法、电子传输层和电池，包括以下步骤：提供电子传输层的基层；制备金属氧化物溶液，并在所述基层表面涂布所述金属氧化物溶液以形成胶体溶液层；对所述胶体溶液层晶化处理，以形成籽晶层；在所述籽晶层上沉积金属氧化物以形成主体层。本发明实施例的电子传输层制备方法、电子传输层和电池，能够制备出结构致密、结晶良好的电子传输层，使针孔问题得到改善，提高电池转换效率和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117737356A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211109914.2
申请日：2022-09-13
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种脉冲退火装置，所述脉冲退火装置包括退火炉、样品台、脉冲组件、滤光件和遮光板，所述样品台设在所述退火炉内，所述脉冲组件设在所述退火炉内且位于所述样品台上方，所述脉冲组件用于向所述样品台发射脉冲光，所述滤光件设在所述样品台和所述脉冲组件之间，所述遮光板沿水平方向可移动地设在所述样品台和所述脉冲组件之间，所述遮光板上设有狭缝。本发明实施例的脉冲退火装置通过设置脉冲组件，利用脉冲光对样品进行加热升温和降温时间短且可大面积加热，有利于提高钙钛矿薄膜质量及稳定性，有利于大面积钙钛矿薄膜的生产。
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公开(公告)号：CN117506155A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210908191.6
申请日：2022-07-29
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅异质结电池的激光切割方法，包括如下步骤：设计硅异质结电池的切割路径；沿所述切割路径对所述硅异质结电池多次重复切割，且相邻两次切割之间间隔设定时长。本发明实施例的硅异质结电池的激光切割方法具有切割质量好，成品率较高的优点。
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公开(公告)号：CN117199169A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210603453.8
申请日：2022-05-30
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本公开提出一种铜栅线硅异质结电池的边缘钝化方法及装置，涉及电池技术领域。包括：对铜栅线硅异质结电池进行切片，以获取多个电池分片；将由多个电池分片堆叠形成的电池垛，转移至化学气相沉积设备中；在预设时间段内，向化学气相沉积设备内通入氢气，其中，第一氢气流量为5000‑25000sccm；在电池垛中每个电池分片的切片断面处沉积本征非晶硅薄膜，以获取边缘钝化的电池分片，其中，本征非晶硅薄膜的沉积温度为80‑120℃。由此，可以在低温下对铜栅线硅异质结电池分片的切片断面进行钝化处理，保证铜栅线硅异质结电池分片及铜电极在不受影响的前提下，降低铜栅线硅异质结电池分片的切片断面的载流子复合速率，改善钝化效果，提高了切片铜栅线硅异质结电池的效率。
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公开(公告)号：CN114242805A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111432647.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
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公开(公告)号：CN114005890A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111226933.9
申请日：2021-10-21
Applicant: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形，相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连，提高组件良率和可靠性，可最大限度地提高焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
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