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公开(公告)号：CN113155945A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110228445.5
申请日：2021-03-02
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: G01N27/68
Abstract: 本发明涉及一种定量测定单晶硅中替位碳的方法，属于半导体检测领域。将单晶硅标准样品制成棒状参考样，用氢氟酸和硝酸浸泡腐蚀，用去离子水超声清洗，反复若干次，将冲洗后的硅棒用高纯氮气吹干或烘干；采用低压源直流辉光放电质谱法，优化放电条件，采集C的离子信号计数值，将离子信号计数值与对应的参考样标示值进行关联来校准仪器的相对灵敏度因子，得到校准后的相对灵敏度因子；采用相同的方法制备单晶硅待测样品的棒状测试样品，采用低压源直流辉光放电质谱法在相同条件下进行检测，得到待测样品中C的离子信号计数值，计算得到待测样品中C的准确含量。本发明的方法样品用量少、灵敏度高、检出限低、精密度高、准确度好、同时简单易操作。
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