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公开(公告)号:CN114042469B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202111462671.6
申请日:2021-12-02
Applicant: 四川轻化工大学
IPC: B01J27/236 , B01J35/08 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及碳酸氧铋基光催化材料的制备方法,属于光催化材料领域。碳酸氧铋基光催化材料的制备方法为:将碳纳米球分散到有机溶剂中,记为A;将硝酸铋溶于硝酸和有机溶剂的混合溶液中,得到B;在搅拌条件下,将B缓慢滴加到A中,混合得到C;其中,碳纳米球与硝酸铋的质量比为0.05%~4%;C进行溶剂热反应,将得到的产物经洗涤、烘干后得到3D中空Bi/Bi2O2CO3;其中,所述溶剂热的反应温度为120℃~180℃,反应时间为4h~16h;将Bi/Bi2O2CO3在200~550℃下焙烧1.8~2.2h,得到碳酸氧铋基光催化材料。本发明制备3D中空Bi2O2CO3基光催化材料,环保无污染、操作简便可控。
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公开(公告)号:CN116651489A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310642263.1
申请日:2023-06-01
Applicant: 四川轻化工大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/00 , B01J35/00 , B01J37/10 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供了一种磁改性三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4光催化材料的制备方法及应用,属于无机‑有机复合纳米材料制备技术领域。所述制备方法如下:S1、制备g‑C3N4纳米片;S2、制备三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4光催化材料;S3、制备磁改性三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4光催化材料:将S2制备的三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4光催化材料分散到Fe2+和Fe3+混合溶液中,在N2保护下陈化,然后调节pH至8‑9,反应后经过滤、洗涤、烘干得到磁改性三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4光催化材料。该方法采用g‑C3N4纳米片作为牺牲模板,在高温碱性条件下,部分g‑C3N4被剥离提供C源和N源,在另外未被剥离的g‑C3N4表面原位生长N‑Bi2O2CO3,自组装形成三维花状N‑Bi2O2CO3/g‑C3N4二元异质结复合材料,无需去模板工序,具有制备环保、成本较低、操作简单可控等特点。
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公开(公告)号:CN114042469A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111462671.6
申请日:2021-12-02
Applicant: 四川轻化工大学
IPC: B01J27/236 , B01J35/08 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及碳酸氧铋基光催化材料的制备方法,属于光催化材料领域。碳酸氧铋基光催化材料的制备方法为:将碳纳米球分散到有机溶剂中,记为A;将硝酸铋溶于硝酸和有机溶剂的混合溶液中,得到B;在搅拌条件下,将B缓慢滴加到A中,混合得到C;其中,碳纳米球与硝酸铋的质量比为0.05%~4%;C进行溶剂热反应,将得到的产物经洗涤、烘干后得到3D中空Bi/Bi2O2CO3;其中,所述溶剂热的反应温度为120℃~180℃,反应时间为4h~16h;将Bi/Bi2O2CO3在200~550℃下焙烧1.8~2.2h,得到碳酸氧铋基光催化材料。本发明制备3D中空Bi2O2CO3基光催化材料,环保无污染、操作简便可控。
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