公开(公告)号：CN115666139A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211435790.7

申请日：2022-11-16

Applicant: 嘉庚创新实验室

Inventor： 吴炳辉 ,  侯耀林 ,  黄晓锋 ,  尹君 ,  李静 ,  郑南峰

IPC: H10K30/30 ,  H10K30/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50

Abstract: 本申请涉及一种复合电子传输层、制备方法以及太阳能电池，该复合电子传输层包含金属元素M1的氧化物和金属元素M2的氧化物，其中，至少一部分所述金属元素M2的氧化物包覆于至少一部分所述金属元素M1的氧化物的表面上，其中，M1选自Zn、Ti、Sn、Ba、W、Co中的一种或多种；M2选自Ti、Sn、W、Ba和Co中的一种或多种。本申请采用一步法可以制备得到复合电子传输层，其具有较好的光电性能，简化了电子传输层的制备工艺，降低成本，便于进行大规模制备；并且该复合电子传输层有利于后继钙钛矿成膜生长，钙钛矿层的结晶性得到增强、晶粒尺寸分布更均匀，有利于得到性能更加优异的器件。

公开(公告)号：CN116322074A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310064761.2

申请日：2023-01-12

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 吴炳辉 ,  侯耀林 ,  黄晓锋 ,  尹君 ,  李静 ,  郑南峰

IPC: H10K30/15 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极；所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件，通过含磷物质体相修饰电子传输层设计，可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷，从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合，提高器件的光电性能及稳定性。