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公开(公告)号：CN106633153A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611247610.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: C08J7/042 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08J2479/08 , C08K3/24 , C08K2201/011 , C08L2203/20 , C08L79/08
Abstract: 一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法。本发明涉及电子复合材料及储能材料制备技术领域，特别是涉及一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法。本发明的目的在于提高聚合物基体介电常数的同时保持高的击穿场强和低的介电损耗。三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料由两层KTN/聚合物复合薄膜和一层高分子聚合物薄膜组成；方法：一、制备KTN/聚合物混合溶液；二、制备聚合物溶液；三、涂膜；四、成膜。本发明用于制备三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料。
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公开(公告)号：CN107176837B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710400616.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
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公开(公告)号：CN107176837A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400616.1
申请日：2017-05-31
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
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公开(公告)号：CN102877101B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210379774.0
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法，它涉及一种制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法。本发明要解决现有方法制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率低的问题。本发明的方法如下：一、对导电玻璃进行前处理；二、采用两电极体系恒压电沉积制备CuInSe2薄膜；三、对CuInSe2薄膜进行热处理；四、采用两电极体系恒压电沉积制备ZnS薄膜；五、对ZnS薄膜进行热处理。本发明的方法制备的太阳能电池缓冲层ZnS薄膜透过率达到了80%~90%，而且大大节省了生产成本，还具有沉积速率快、操作简单、安全等特征，非常适合大规模制备ZnS薄膜。本发明应用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN105417580B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610012895.X
申请日：2016-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法，它涉及一种水热法控制钽铌酸钾纳米粉体尺寸均一的方法。本发明的目的是要解决现有方法工艺复杂、成本高同时不能制备出粒径在100nm以下尺寸均一钽铌酸钾粉体的问题，本发明步骤为：氢氧化钾的水溶液；称取五氧化二钽粉体和五氧化二铌粉体，分别与氢氧化钾的水溶液混合，装到水热反应釜中，放入烘箱中进行反应，再放入真空干燥箱抽真空，加热后得到钽铌酸钾纳米粉体。本方法采用水热法精确控制合成钽铌酸钾纳米(100nm以下)粉体的尺寸，合成方法简单，温度低，纯度高，是合成无铅压电陶瓷纳米(100nm以下)粉体的一个新途径。本发明应用于纳米晶材料制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106735180A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN106735180B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611148043.X
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F1/02
Abstract: 一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明涉及有机无机复合纳米粒子制备领域，特别是涉及一种聚苯乙烯包覆金属纳米颗粒的方法。本发明是要解决现有方法不能有效的防止金属纳米颗粒团聚和氧化，且成本高的问题。方法：一、功能化金属纳米颗粒；二、功能化后的金属纳米颗粒、蒸馏水、无水乙醇和聚乙烯吡咯烷酮混合，得到反应体系，将反应体系的温度升温至45℃后，向反应体系中加入苯乙烯和偶氮二异丁腈，将反应体系的温度升温至81℃～84℃，搅拌2h，向反应体系中加入饱和氯化钠溶液进行破乳，对油相进行减压抽滤后洗涤，真空烘干，得到聚苯乙烯包覆的金属纳米颗粒。本发明用于金属纳米颗粒进行包覆，防止金属纳米颗粒团聚和氧化。
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公开(公告)号：CN106751247B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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公开(公告)号：CN106751247A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611146193.7
申请日：2016-12-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明涉及电子功能材料技术领域，特别是涉及一种高介电常数的交联PS@Cu/PVDF复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有方法铜纳米颗粒在高介电聚合物基复合材料中具有差的分散性和相容性且易氧化的问题。方法：一、Cu@交联PS纳米颗粒的制备；二、高介电Cu@交联PS/PVDF复合薄膜的制备。本发明用于制备高介电常数的Cu@交联PS/PVDF复合薄膜。
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公开(公告)号：CN104356414B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410663946.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法，涉及一种高介电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有介电材料介电常数低、脆性大、加工温度高且与集成电路加工技术不相容的问题。方法：一、称量；二、将铌酸钾钠陶瓷粉末加入到N,N‑二甲基乙酰胺中超声；三、加入聚偏二氟乙烯粉末，搅拌得到聚偏二氟乙烯溶液；四、将聚偏二氟乙烯溶液静置，用自动涂膜器将聚偏二氟乙烯溶液均匀的刮在洁净的玻璃板上，将玻璃板放入真空干燥箱；五、将抽完真空膜的玻璃板放入烘箱中，加热；六、放入蒸馏水中浸泡，将膜揭下，依次用蒸馏水、丙酮和无水乙醇清洗，烘干，即得高介电薄膜。该高介电薄膜在频率为10Hz时，介电常数高达250。本发明用于制备高介电薄膜。
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