一种钪铬铥掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118422340A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202310946017.5

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种钪铬铥掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明首次采用Cr3+和Tm3+掺杂铌酸锂晶体,结合Tm3+离子优良的上转换发光性能和Cr3+离子的能量传递过程,同时掺入Sc3+离子有效提高晶体的抗光损伤能力。Tm3+具有容易发生上转换的能级结构,作为激光晶体的激活离子,本发明将铌酸锂晶体的非线性和Tm3+的上转换特性有机结合成一整体,集优良的压电、电光、声光和非线性光学性能于一身。

    一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117604640A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311569349.2

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域,具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能,具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点,是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位,尤其适合用于光学体全息存储。

    一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117604640B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202311569349.2

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域,具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生,解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能,具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体,具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点,是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位,尤其适合用于光学体全息存储。

    一种镁镱镝掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118461139A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202310946037.2

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种镁镱镝掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中Dy3+作为激光晶体的激活离子,其容易发生上转换的能级结构,掺杂Dy3+的铌酸锂晶体将Dy3+的上转换特性和铌酸锂晶体的非线性有机结合成一整体;Mg2+的掺入有效提升了晶体的抗光损伤能力。本发明提供的镁镱镝掺杂铌酸锂晶体抗光损伤能力强,上转换特性优异,光泽度高,成分均一,无瑕疵,无生长条纹和裂纹产生,光学应用表现更优,解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。

    一种锆钬掺铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118461138A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202310946014.1

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域,具体涉及一种锆钬掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中的Ho3+作为激光晶体的激活离子,易发生上转换的能级结构,而Zr4+的掺入则可以有效提升铌酸锂晶体的抗光损伤能力,改善Zr4+在晶体里的占位。本发明提供的锆钬掺杂铌酸锂晶体结合Ho3+的上转换发光性能和Zr4+的抗光损伤能力,解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。

    一种铪镱铕掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118422341A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202310946022.6

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域,具体涉及一种铪镱铕掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明采用Yb3+离子作为敏化离子,Yb3+离子在上转换和激发态吸收时,几乎不发生浓度淬灭效应;并且,Yb3+的吸收截面大,并且能有效地将其能量转移到稀土离子上。本发明结合Eu3+的上转换发光性能和Yb3+离子的敏化激活能力,同时掺入Hf4+离子对抗光损伤性能进行优化,制备得到具有良好上转化发光性能的铪镱铕掺杂铌酸锂晶体,光学性能整体上更优异。

    一种自清洁式化学实验台

    公开(公告)号:CN204710393U

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201520295746.X

    申请日:2015-05-08

    Abstract: 一种自清洁式化学实验台,它涉及一种化学实验台,具体涉及一种自清洁式化学实验台。本实用新型为了解决现有化学实验台均是普通桌子改装而来,每次实验完毕需要由学生自己清理台面,不仅费时费力,而且台面上残留的化学试剂还会对人体的皮肤造成伤害的问题。本实用新型包括台面、污水回收容器、污水回收管、箱体、四个喷水机构、四个吹干机构、若干个风管和若干个水管,台面是水平设置的长方形板体,台面水平安装在箱体的上表面上。本实用新型用于化学教学中。

    一种近化学计量比铌酸锂晶体生长用的坩埚

    公开(公告)号:CN208776874U

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201820333370.0

    申请日:2018-03-12

    Abstract: 本实用新型涉及晶体生长领域,具体涉及一种近化学计量比铌酸锂晶体生长用的坩埚。本实用新型采用电阻加热式晶体生长炉,坩埚为双层结构,外层为铂金坩埚,内层为篮状铂金网。铂金网与负极相连,铂金网内设置有正极,在晶体生长的过程中通过控制正负极间的电流来控制负极上Nb离子的析出量,以控制铂金网内熔体中的Li/Nb比。本实用新型能控制生长区域熔体中的Li/Nb比,从而生长出高质量低缺陷的近化学计量比铌酸锂晶体。

    一种化学实验用试管自摆装置

    公开(公告)号:CN204710401U

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201520295717.3

    申请日:2015-05-08

    Inventor: 代丽 李晶 阎哲华

    Abstract: 一种化学实验用试管自摆装置,它涉及一种化学实验自摆装置,具体涉及一种化学实验用试管自摆装置。本实用新型为了解决手工摆动试管不仅容易使试管损坏,而且由于人手摆动速度和力度不均匀,经常会使试管内的试剂混合不均匀,影响实验结果的问题。本实用新型包括电机、变速箱、凸轮、摆杆、连接轴、底轴、试管底部外套、试管中部套管、第一横轴、第二横轴、第一支架和第二支架,试管中部套管竖直设置,第一支架和第二支架对称设置在试管中部套管的两侧,第一横轴的一端与第一支架的上端转动连接。本实用新型用于化学教学中。

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