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公开(公告)号：CN119639214A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411946633.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及复合地板制备技术领域，特别是涉及一种轻质高强度复合地板及其制备方法。该轻质高强度复合地板的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将木屑、纤维和二氧化硅气溶胶混合均匀，得到固体混合料；将聚氨酯A胶与环氧树脂和固化剂混匀得到混合液；将聚醚类聚氨酯加入所述混合液中混匀，得到混合胶A；将所述混合胶A与所述固体混合料混匀，得到A胶混合料；将聚氨酯B胶与所述A胶混合料混匀，得到压制混合料；步骤2，对所述压制混合料进行成型和热处理，得到所述轻质高强度复合地板。本发明方法简单，原料易得，易于大规模工业化制备；利用本发明方法制备的复合地板具有轻质高强的性能，可以作为铁路平车地板应用。
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公开(公告)号：CN108250749A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810160083.9
申请日：2018-02-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种苯基倍半硅氧烷/氧化石墨烯/聚酰亚胺三相复合薄膜的制备方法，本发明涉及绝缘材料技术领域，具体涉及一种苯基倍半硅氧烷/氧化石墨烯/聚酰亚胺三相复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有复合薄膜无法兼顾降低介电常数的同时提高其热学性能及力学性能的问题。方法：通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯；采用原位聚合法制备苯基倍半硅氧烷/氧化石墨烯/聚酰亚胺三相复合薄膜。本发明应用于苯基倍半硅氧烷/氧化石墨烯/聚酰亚胺三相薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN105214608A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510610712.X
申请日：2015-09-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 粉煤灰制备花瓣状方钠石和白炭黑复合球簇的无模板制作方法。一种粉煤灰制备花瓣状方钠石和白炭黑复合球簇的无模板制作方法，该方法包括以下步骤：（1）将粉煤灰原料在马弗炉中焙烧，高温活化；（2）将（1）获得的产物在酸液中浸泡，进一步活化；（3）将（2）获得的产物真空烘干，研磨，然后过筛；（4）将（3）获得的产物与碱液按10~30的液固比混合，然后在恒温水浴锅中反应；（5）步骤（4）反应过程中，滴加调节剂调整硅铝比，滴加后继续反应若干时间；（6）将（4）获得的产物静置晶化，然后抽滤，用蒸馏水反复洗涤至滤液弱碱性，烘干；（7）将（6）获得的产物置于马弗炉内焙烧，即可制得花瓣状方钠石和白炭黑复合球簇。本发明用于粉煤灰制备。
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公开(公告)号：CN105037766A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510492210.1
申请日：2015-09-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。目前覆铜箔板的基材采用覆铜箔聚酰亚胺薄膜PI，PI具有的电绝缘性、耐高温性、阻燃性，随着电子信息产品向高频高速发展，集成电路信号容阻延迟、串扰及能耗问题也日益凸显出来，而印制板的信号传输特性受印制板基材介电常数和介电损耗的影响很大，为满足信号传递的高速化，提高电子线路功能，亟需开发新型低介电常数材料解决上述问题。本发明包括如下步骤：采用模板法制备“核-壳”结构微球，在650℃的条件下烧结3h，制得纳米二氧化硅空心球，并通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯纳米片。本发明用于SiO2空心球/氧化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制法。
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公开(公告)号：CN112093798A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011176028.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C01B32/215
Abstract: 本发明提供了一种外场辅助的石墨快速提纯方法，提纯后石墨的固定碳含量不少于99.95%，属于无机非金属材料技术领域。具体步骤：1）将石墨在外场中静置5~10min，加入冰水混合物，水温达到室温后加入氢氧化钠，再在外场中静置3~8min，水温达到室温后过滤，用去离子水洗涤至滤液呈中性；2）将步骤1）所得产物置于混酸中，在外场中静置3~8min，水温达到室温后过滤，用去离子水洗涤至滤液呈中性；3）将步骤2）所得产物置于去离子水中，再加入氢氧化钠，在外场中静置3~8min，水温达到室温后过滤，用去离子水洗涤至滤液呈中性，烘干至恒重，按照国家标准测定产物固定碳含量。本发明提供的方法流程简捷、低耗节能、省时高效、环保无毒，适合于大规模连续化生产。
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公开(公告)号：CN103937241A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410200870.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: C08K9/06 , C08G73/1007 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08K3/36 , C08K7/26 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L79/08
Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，本发明涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺介电常数高，介电常数在2.6～3.9，难以满足微电子行业对于基材要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、成膜及热亚胺化；四、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至2.1，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN103923332A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410200866.7
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备方法，它涉及纳米SiO2空心球复合材料的制备。本发明是要解决现有技术存在制备的聚酰亚胺薄膜介电常数高，难以满足微电子行业对于基材技术要求的问题。方法：一、制备纳米SiO2空心球粉末；二、制备纳米SiO2空心球/聚酰胺酸胶液；三、制备三层纳米SiO2空心球/聚酰胺酸薄膜；四、热亚胺化；五、脱膜，即得到基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料。本发明制备基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的介电常数低至1.9，可广泛适用于高速集成电路挠性覆铜箔板基材中。本发明用于一种基于聚酰亚胺基体纳米SiO2空心球复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN112121797A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011068639.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01J23/745 , B01J37/03 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及一种光催化降解水体有机污染物的磁性氧化石墨烯复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备Fe3O4磁性核，制备TiO2‑Fe3O4核壳结构，制备氧化石墨烯，将磁性TiO2催化剂分散吸附在氧化石墨烯层上，可改变磁性TiO2催化剂的量制成不同催化剂含量的磁性TiO2氧化石墨烯复合复合材料，本发明将TiO2‑Fe3O4制成核壳结构，有效预防了水体中强氧化物质对Fe3O4磁性的破坏，而氧化石墨烯表面基团不仅增强了该复合材料在水中的分散性，也增强了该复合材料对水体中有机污染物的吸附，有利于TiO2的光催化降解。
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