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公开(公告)号：CN110498679B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910924240.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种高介电性能多层相结构BNT‑BT陶瓷的制备方法，属于压电陶瓷的技术领域。本发明要现有解决BNT‑BT陶瓷的介点性能较低的技术问题。本发明方法：步骤1、制备三方相BNT‑5BT粉料、准同型相界BNT‑7BT粉料四方向相BNT‑9BT粉料；步骤2、将步骤1得到的四方相BNT‑9BT粉料放入模具中，压制成型，再放入步骤1得到的准同型相界BNT‑7BT粉料后，压制成型，然后放入步骤1得到的三方相BNT‑5BT粉料，压制成型；步骤3、然后高压成型，烧结，随炉自然冷却，得到多层相结构BNT‑BT陶瓷。本发明制备出无分层，组分之间相互固溶的类三明治结构陶瓷，从而提高其介电性能。
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公开(公告)号：CN113915441B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111199211.9
申请日：2021-10-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: F16L55/033
Abstract: 本发明提供了一种通风管道消声器，包括八个结构相同的共振腔单元，每个共振腔单元均包括中心管道、颈部空心圆盘、颈部狭缝、螺旋缝隙和环形空腔；第一至第四共振腔单元从外到内依次嵌套布置形成上共振腔组，第五至第八共振腔单元从外到内依次嵌套布置形成下共振腔组，上共振腔组和下共振腔组共用同一中心管道，中心管道的两端均伸出通风管道消声器的上下端面设置；上共振腔组的相邻两个共振腔单元之间以及下共振腔组的相邻两个共振腔单元之间在高度上均相差一个螺旋缝隙的螺距布置；通过在上共振腔组的圆柱形空腔开设环形缝隙连通四个共振腔单元的圆柱形空腔。本发明添加螺旋缝隙使其保持体积不变的同时，降低隔声峰值频率并提高隔声量。
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公开(公告)号：CN113915441A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111199211.9
申请日：2021-10-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: F16L55/033
Abstract: 本发明提供了一种通风管道消声器，包括八个结构相同的共振腔单元，每个共振腔单元均包括中心管道、颈部空心圆盘、颈部狭缝、螺旋缝隙和环形空腔；第一至第四共振腔单元从外到内依次嵌套布置形成上共振腔组，第五至第八共振腔单元从外到内依次嵌套布置形成下共振腔组，上共振腔组和下共振腔组共用同一中心管道，中心管道的两端均伸出通风管道消声器的上下端面设置；上共振腔组的相邻两个共振腔单元之间以及下共振腔组的相邻两个共振腔单元之间在高度上均相差一个螺旋缝隙的螺距布置；通过在上共振腔组的圆柱形空腔开设环形缝隙连通四个共振腔单元的圆柱形空腔。本发明添加螺旋缝隙使其保持体积不变的同时，降低隔声峰值频率并提高隔声量。
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公开(公告)号：CN110498679A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910924240.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种高介电性能多层相结构BNT-BT陶瓷的制备方法，属于压电陶瓷的技术领域。本发明要现有解决BNT-BT陶瓷的介点性能较低的技术问题。本发明方法：步骤1、制备三方相BNT-5BT粉料、准同型相界BNT-7BT粉料四方向相BNT-9BT粉料；步骤2、将步骤1得到的四方相BNT-9BT粉料放入模具中，压制成型，再放入步骤1得到的准同型相界BNT-7BT粉料后，压制成型，然后放入步骤1得到的三方相BNT-5BT粉料，压制成型；步骤3、然后高压成型，烧结，随炉自然冷却，得到多层相结构BNT-BT陶瓷。本发明制备出无分层，组分之间相互固溶的类三明治结构陶瓷，从而提高其介电性能。
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