公开(公告)号：CN118754641B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202410776323.3

申请日：2024-06-17

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 于杨 ,  李虹葆 ,  卜德超 ,  李思远 ,  周子越 ,  刘一桐

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和应用，属于功能性压敏陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO压敏陶瓷无法实现高电压梯度特性的问题。本发明使用Fe2O3、Li2O和ZnO进行复合，在保证尽量少的ZnO压敏陶瓷的组分数量同时，综合利用晶粒电阻及晶界势垒层诱导和改善ZnO陶瓷压敏特性，获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。此外，本发明提供的高电压梯度ZnO压敏陶瓷具有简单的组分数量，通过调节Fe2O3和Li2O的添加量，就可以实现掺杂陶瓷压敏电压的有效调控，获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。

公开(公告)号：CN119683991A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411828091.8

申请日：2024-12-12

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 于杨 ,  李虹葆 ,  张笑瑞 ,  陈庆国

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种庞介电氧化锌陶瓷及其制备方法和应用，属于功能性介电陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO陶瓷材料介电常数低、介电损耗大及频率稳定性差，无法具有庞介电特性的问题。本发明采用Li2O和Al2O3对ZnO进行复合掺杂，并结合放电等离子体烧结方式，设计ZnO陶瓷的介电性能，获得庞介电特性。本发明采用放电等离子体烧结方式，降低烧结温度和时间，抑制其本征缺陷的产生，降低介电损耗；并采用Li2O和Al2O3进行复合掺杂，在抑制本征缺陷的同时，利用掺杂离子在晶界处的偏析形成晶界电容势垒，提高掺杂陶瓷介电常数，使得制备的氧化锌基陶瓷具有庞介电特性，且频率稳定性良好。

公开(公告)号：CN118754641A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410776323.3

申请日：2024-06-17

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 于杨 ,  李虹葆 ,  卜德超 ,  李思远 ,  周子越 ,  刘一桐

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌压敏陶瓷及其制备方法和应用，属于功能性压敏陶瓷及其制备技术领域。本发明解决了现有ZnO压敏陶瓷无法实现高电压梯度特性的问题。本发明使用Fe2O3、Li2O和ZnO进行复合，在保证尽量少的ZnO压敏陶瓷的组分数量同时，综合利用晶粒电阻及晶界势垒层诱导和改善ZnO陶瓷压敏特性，获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。此外，本发明提供的高电压梯度ZnO压敏陶瓷具有简单的组分数量，通过调节Fe2O3和Li2O的添加量，就可以实现掺杂陶瓷压敏电压的有效调控，获得高电压梯度ZnO压敏陶瓷。