公开(公告)号：CN118719097A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410743487.6

申请日：2024-06-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  姚学远 ,  田硕 ,  王晓 ,  董丽敏 ,  李丹

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/39 ,  B01J35/40 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种提升Cu2MoS4/ZnO光催化析氢性能的方法，本发明涉及光催化复合材料领域。本发明提供了一种解决单纯的Cu2MoS4可见光利用率低，光生载流子复合速率快，导致光催化析氢性能差的方法。方法：一、通过溶剂热法制备Cu2MoS4纳米片；二、通过强酸对Cu2MoS4纳米片进行刻蚀改性；三、采用溶剂热法制备Cu2MoS4/ZnO复合光催化材料。本方法在Cu2MoS4/ZnO异质结构建的基础之上，采用酸刻蚀法对Cu2MoS4纳米片进行改性，通过暴露边缘面积增加了反应活性位点，提高了光生电子的利用率，使得Cu2MoS4/ZnO复合材料的光催化析氢性能大幅提升。

公开(公告)号：CN118403643A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410479063.3

申请日：2024-04-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 庄艳丽 ,  程浩 ,  董丽敏 ,  李丹 ,  姚学远 ,  门同华 ,  马浩

IPC: B01J27/051 ,  B01J35/39 ,  B01J37/10 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种Cu2MoS4/ZnIn2S4复合光催化材料的制备方法，复合速率快，电子传输能力差，材料光吸收效率受限，导致光催化产氢性能差的技术问题。方法：一、通过溶剂热法制备Cu2MoS4；二、通过水浴法制备Cu2MoS4/ZnIn2S4。本方法首次合成了片/片Cu2MoS4/ZnIn2S4二元复合材料，而且Cu2MoS4/ZnIn2S4在可见光下有很好的产氢效果产氢效果，Cu2MoS4与ZnIn2S4之间构成了异质结，很好地提高了材料对光的吸收范围，在光照情况下有利于光生电子和空穴的转移效率，有利于提高光生电子的利用率，有利于提高材料的光催化产氢效果。本发明用于制备复合光催化材料。