-
公开(公告)号：CN116791277A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310555772.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐温复合电介质及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明将ITIC填充到具有高击穿、高储能效率的聚醚酰亚胺基体中来制备复合介质，其中多浓度ITIC协同的作用，解决了聚醚酰亚胺在高温高场下随着电极注入电子会导致电荷的注入和介质内电荷迁移。降低了聚醚酰亚胺传导损耗和热损耗，提升其绝缘性能和储能效率。并且本发明在基础上，加入聚醚砜，当PESU分子链添加到PEI中会使得分子链的间距增加，减少偶极子转向产生的转向损耗，提升了储能效率；同时PESU中砜基和分子间距的增加也会给介电常数带来了一定的提升；再者砜基与PEI甲基上的氢也可以形成氢键使得击穿强度得到一定的提升。
-
公开(公告)号：CN120040764A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510297151.6
申请日：2025-03-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚降冰片烯酰亚胺绝缘材料及其制备方法和应用，属于电气绝缘材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚降冰片烯酰亚胺电介质薄膜绝缘性能差的问题。本发明通过对拥有宽带隙和高玻璃化转变温度的有机刚性主链的聚合物电介质薄膜聚降冰片烯酰亚胺(PNI)进行氟化改性的到了FPNI，并通过在FPNI中掺杂具有宽带隙的有机分子4,4‑二羟基二环己烷(OH)，不仅实现了羟基和氟原子之间的氢键交联，而且宽带隙的OH还能带来更高的电子跃迁能级，得到了具有优异绝缘性能的交联聚合物薄膜，击穿场强为619.53MV/m。
-
公开(公告)号：CN116791277B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310555772.0
申请日：2023-05-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐温复合电介质及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明将ITIC填充到具有高击穿、高储能效率的聚醚酰亚胺基体中来制备复合介质，其中多浓度ITIC协同的作用，解决了聚醚酰亚胺在高温高场下随着电极注入电子会导致电荷的注入和介质内电荷迁移。降低了聚醚酰亚胺传导损耗和热损耗，提升其绝缘性能和储能效率。并且本发明在基础上，加入聚醚砜，当PESU分子链添加到PEI中会使得分子链的间距增加，减少偶极子转向产生的转向损耗，提升了储能效率；同时PESU中砜基和分子间距的增加也会给介电常数带来了一定的提升；再者砜基与PEI甲基上的氢也可以形成氢键使得击穿强度得到一定的提升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120040765A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510297157.3
申请日：2025-03-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于绕组绝缘的聚降冰片烯酰亚胺及其制备方法和应用，属于电气绝缘材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚降冰片烯酰亚胺聚合度低的问题。本发明使用由DMF和乙酸乙酯组成的二元溶剂体系制备聚降冰片烯酰亚胺，相比于传统DCM溶剂，聚合效果得到明显提升，聚合物产率高达17.3％。并且本发明制备的聚降冰片烯酰亚胺薄膜相较与聚降冰片烯相比引入了酰亚胺基团，酰亚胺基团具有较强的电子吸引效应，增强了聚降冰片烯的亲电子特性，使得聚降冰片烯酰亚胺击穿场强可达500MV/m。本发明提供的制备工艺简单易行，无污染，且所需设备成本较低，适合大规模生产，具有重要的科研价值，还拥有巨大的应用潜力和市场前景。
-
公开(公告)号：CN117866127B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
公开(公告)号：CN118667197A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410799987.1
申请日：2024-06-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高耐压的复合电介质绝缘薄膜及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明解决了现有电介质绝缘薄膜的击穿性能差和介电损耗大的问题。本发明首先合成了以Ce(Ⅲ)为核、Al为环的金属有机团簇Ce@Al，并在聚醚酰亚胺(PEI)基体中掺杂适量。本发明利用金属有机团簇Ce@Al与聚醚酰亚胺介质能实现高度混合，团簇外围的苯基使其拥有良好稳定性，且Ce@Al阳离子团簇之间的静电排斥力保证了Ce@Al在介质中的均匀分布。此外，本发明合成的Ce@Al结构中的三价离子提供了高偶极矩，并且拥有强大的电荷散射和捕获能力，可以有效的抑制介质内部电荷的运动，实现复合介质绝缘性能的大幅提升。
-
公开(公告)号：CN120040726A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510297155.4
申请日：2025-03-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于绕组绝缘的聚合物及其制备方法和应用，属于电气绝缘材料及其制备技术领域。本发明解决了现有聚降冰片烯二酸酐制备存在的产率低的问题。本发明通过DMF为溶剂对NBEA进行聚合，利用DMF的出色的溶解能力和对聚合反应的低干扰性，实现高性能聚降冰片烯二酸酐聚合物的高效制备，产率达到30％。并且本发明制备得到的聚降冰片烯二酸酐中含有两个酸酐基团，增加了材料中的陷阱数量，这些陷阱能够捕获和限制电荷载流子，减少电荷的流动，从而提高材料的绝缘性能，且引入两个酸酐基团后，使原本易碎的聚降冰片烯变得具有韧性，获得拥有高绝缘性能与优异机械性能的绝缘材料。
-
公开(公告)号：CN117866127A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689323.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘全有机复合电介质材料及其制备方法和应用，属于介质电容器技术领域。本发明以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，首先通过KOH处理脱氟化氢，然后使用H2SO4处理羟基化的两步处理方式制备分子改性羟基功能化的PVDF电介质薄膜，利用羟基与氟之间形成的氢键降低介质薄膜的介电损耗，改善介质绝缘性能。具体的薄膜具备较高的绝缘强度(～617.18MV/m)和较低的介电损耗，表明薄膜可在高电场强度下稳定运行。此外，本发明提供的制备工艺流程简洁，环保无污染，可推广实施。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
