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公开(公告)号：CN207924188U
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201820128184.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本实用新型提供了一种片上衰减器，衰减器结构类二维码分布，主体区域为2.4×2.4μm2，将优化区域分为20×20的方形像素点，像素点尺寸为120×120 nm2，自动优化得到满足目标的类二维码结构的衰减器。最终得到5个不同衰减值的衰减器，分别为：1dB，3dB，6dB，10dB，20dB，衰减器带宽为50nm。所述衰减器与其它衰减器相比，其尺寸结构非常小，且设计时间短，可根据目标要求自动优化设。所述衰减器在硅光器件中有一定的应用范围，可在器件中引入衰减，平衡或者增大光路的插损，如在MZ器件的两波导臂上应用衰减器可平衡其光路损耗。
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