公开(公告)号：CN117986016A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410005934.8

申请日：2024-01-03

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 陈祖煌 ,  黎意杰 ,  司洋洋

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B41/89 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供了一种反铁电材料及其制备方法、薄膜电容器，该反铁电材料的化学式为Pb1‑xSrxZrO3，其中0.4≤x≤0.6；所述反铁电材料具有偶极子无序排列特征。本发明的技术方案的反铁电材料相界面附近的偶极子排列完全无序，这种混乱的偶极子排布能够有效降低反铁电PbZrO3的晶格畸变，减少缺陷密度，能够有效抑制漏电流和减小介电损耗，极大地提高薄膜的本征击穿场。采用该反铁电材料制备的薄膜电容器，具有更高的击穿场强(最高可达6.5MV/cm)、储能密度与效率，最大储能密度可达125J/cm3，效率为83％。

公开(公告)号：CN117915761A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311658482.5

申请日：2023-12-01

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 陈祖煌 ,  司洋洋 ,  刘晨晗 ,  黎意杰

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种反铁电热开关原型器件，所述反铁电热开关原型器件采用反铁电材料制备得到。所述反铁电热开关原型器件包括：(111)取向的外延薄膜；所述(111)取向的外延薄膜由底电极层和沉积在所述底电极层表面的反铁电材料层构成。(111)取向的外延薄膜制备方法包括：提供(111)取向的衬底；将第一靶材沉积在所述衬底表面，得到导电层；将第二靶材沉积在所述导电层的表面，得到异质结，经退火处理，在所述衬底的表面形成所述(111)取向的外延薄膜。通过控制外延薄膜的生长取向，使所获得的反铁电材料(外延薄膜)具有大开关比、响应时间短、开关次数多、调控电压低的特性。该制备方法简单，制备过程可控。