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发明公开
一种基于TTM-MD仿真的抑制热电子发射方法审中-公开

公开(公告)号：CN119989698A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510092552.8

申请日：2025-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 何枫 , 唐维永 , 黄昱尊 , 于泽 , 张明宇 , 徐小川

IPC: G06F30/20 , H01S3/102 , G16C10/00 , G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种基于TTM‑MD仿真的抑制热电子发射方法，所述方法通过调节双脉冲的能量分布与延迟时间，对电子温度进行调控；并根据升温时间与延迟之间的关系，获得在满足加工要求下引入的最大延迟时间。本发明方法通过获得在满足加工要求的前提下能够引入的最大延迟，降低了电子温度，用以抑制热电子发射。

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