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发明公开
γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用审中-实审

公开(公告)号：CN118851248A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410839590.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 赵维巍 , 高开正 , 刘飞华

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明公开了γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用，其中γ相氧化镓纳米片的制备方法，包括以下步骤：对Ga(NO3)3的酸溶液进行稀释和蒸发结晶，得到前体晶体；将所述前体晶体、有机溶剂和水混合使晶体溶解，得到前体溶液；向所述前体溶液中加入沉淀剂并调整pH值为10.0‑11.0，得到悬浊液；将所述悬浊液转移至水热反应釜中在160℃‑300℃条件下保存6h‑9h后进行固液分离、洗涤和干燥，得到γ相氧化镓纳米片。本发明能够得到γ‑Ga2O3纳米片，且能够有效提高γ‑Ga2O3纳米片的产率和尺寸的均匀性。

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