公开(公告)号：CN119491294A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411573910.9

申请日：2024-11-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 陈怡沐 ,  宋清海 ,  赵同鹏 ,  何瑞钦

IPC: C30B7/00 ,  C30B29/54 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法，涉及钙钛矿的技术领域。一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将溶于有机溶剂1的Meo‑2PACz分子溶液旋涂在ITO基底上，并于95‑100℃退火10‑12min，得到多层Meo‑2PACz小分子薄膜；(2)将溶于有机溶剂2的PTAA溶液旋涂在多层Meo‑2PACz小分子薄膜上，于95‑100℃退火10‑12min即可。本发明改造了单晶的生长基底，制备出的ITO/SAM/PTAA‑SAM基底有着优化能级、钝化界面缺陷、促进载流子传输、提供钙钛矿成核位点等多方面优势。