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公开(公告)号：CN119134038A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411257041.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种降低硅基片上QD激光器相对强度噪声的方法，包括择定主激光器和待优化的从激光器，采用电流泵浦源作为驱动源；根据主激光器和从激光器的相关参数计算从激光器的光学注入锁定区域范围；在不同偏置电流下调整主激光器的注入激光功率范围和注入激光波长范围，同时对从激光器的相对强度噪声进行计算，最终得到不同偏置电流下能获得的从激光器的光学注入锁定区域范围内最优的相对强度噪声值。本发明的有益效果为：能够显著降低从激光器的相对强度噪声，而且抑制了从激光器的激发态导致的基态噪声的增大，使得硅基片上QD激光器能够在很大的电流范围内保持很低的相对强度噪声。
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公开(公告)号：CN119134039A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411257046.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，包括择定主激光器和待优化的从激光器，采用电流泵浦源作为驱动源；根据主激光器和从激光器的相关参数计算从激光器的光学注入锁定区域范围；在不同偏置电流下调整主激光器的注入激光功率范围和注入激光波长范围，同时对从激光器的光谱线宽进行计算，最终得到不同偏置电流下能获得的从激光器的光学注入锁定区域范围内最优的线宽值。本发明的有益效果为：能够显著降低从激光器的线宽，而且抑制了从激光器的基态线宽在激发态阈值附近的跳变现象，同时抑制了两个能态的线宽再展宽现象。
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