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公开(公告)号：CN119546136A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411573907.7
申请日：2024-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装单分子层的钙钛矿薄膜晶体管的制备方法，涉及钙钛矿的技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将溶于有机溶剂的小分子溶液旋涂在镀有二氧化硅的硅片上，于100‑120℃退火10‑15min，得到多层小分子薄膜，小分子溶液为Br‑2EPO或Br‑2EPT；(2)将有机溶剂旋涂在多层小分子薄膜上即可。本发明引入了两种自组装单层Br‑2EPO或Br‑2EPT，磷酸基团与栅极氧化物表面的羟基发生反应以实现更小的羟基密度排列。同时通过卤素键和路易斯酸碱相互作用使钙钛矿实现了更好的晶格排列，改善了栅极界面态并有效减少了钙钛矿薄膜晶体管的内部陷阱密度。
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