公开(公告)号：CN119725283A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411808216.0

申请日：2024-12-10

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 计红军 ,  陆大世 ,  王秀琦 ,  杨钧喆 ,  王安平

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种基于纳米孪晶银的窄节距铜凸点互连结构及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：在带有铜凸点的芯片或晶圆上表面涂覆光刻胶，然后进行曝光，剥离铜凸点表面的光刻胶，露出铜凸点的上表面；对铜凸点的上表面进行化学机械抛光处理；采用磁控溅射工艺在铜凸点的上表面上沉积纳米孪晶银层，然后使用剥离液去除其余光刻胶和多余部分的银层，得到上表面具有纳米孪晶银的铜凸点结构；将两个上表面具有纳米孪晶银的铜凸点结构芯片或晶圆对准，加热至200～250℃，进行热压互连，得到基于纳米孪晶银的窄节距铜凸点互连结构。采用本发明的技术方案，实现上下芯片上窄节距铜凸点之间的低温互连，得到的互连结构具有优异的服役可靠性。