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发明公开
应用于中红外波段的悬空锗基光栅耦合器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118778177A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411020664.4

申请日：2024-07-29

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 徐科 , 李佳航

IPC: G02B6/124 , G02B6/136

Abstract: 本发明提供了一种应用于中红外波段的悬空锗基光栅耦合器，在所述悬空锗基光栅耦合器的波导方向的截面上，从上往下依次层叠为：悬空锗基脊波导层、锗下硅层、二氧化硅埋氧层和硅衬底层，其中，所述悬空锗基脊波导层悬空设置。本发明还提供了一种应用于中红外波段的悬空锗基光栅耦合器的制备方法。本发明的有益效果是：采用悬空锗基脊波导层的设计，能有效避免二氧化硅埋氧层对中红外波段的光的吸收，实现了一种高度集成低损耗的光栅耦合器。

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