公开(公告)号：CN118521700A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410249945.0

申请日：2024-03-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 肖淑敏 ,  梁志文 ,  曲歌扬 ,  尹俊 ,  宋清海 ,  曾益轩

IPC: G06T15/10 ,  G06T17/20 ,  G06T9/00 ,  G06N3/006

Abstract: 本发明公开了一种智能设备的光栅优化方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：获取待展示的初始图案，所述初始图案是按照智能设备光栅衍射的目标相位所设置的图案；对所述初始图案进行拓扑优化处理得到优化图案，所述优化处理是优化所述初始图案的非偏振依赖的绝对效率的处理；从所述优化图案提取图案几何体后，对所述图案几何体进行参数优化，以增加智能设备的光栅单元结构的非偏振依赖的衍射效率。本发明可以获取待展示的初始图案，对初始图案进行拓扑优化、参数优化，提升光栅单元结构的非偏振依赖的衍射效率，从而提升光栅对应的特定波长的有效衍射角，以扩大用户的视场角，使得智能设备用户的视觉范围增加。

公开(公告)号：CN118192101A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410169494.X

申请日：2024-02-06

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 肖淑敏 ,  沙新博 ,  刘奇 ,  曾益轩 ,  宋清海

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G03F7/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明涉及一种圆二色性切换器件及其制备方法。所述圆二色性切换器件包括依次设置的衬底、隔离层、相变膜层及保护层，所述隔离层内镶嵌有若干呈周期性阵列排布的硅结构单元，所述硅结构单元包括两个对称设置的硅柱，所述硅柱的一端与所述衬底的上表面相接，所述硅柱与所述衬底的上表面之间的夹角小于90°，所述硅柱的纵向高度小于所述隔离层的厚度，所述相变膜层的材质为硫系相变材料。本发明通过将非易失的低损耗硫系相变材料与手性BIC相结合，得到较高圆偏度的圆偏光，同时可以实现圆二色性的快速稳定切换。