Patent search ap:("哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)") AND inv:"尹力" Page 1

1.

发明公开
一种Mg3(Sb,Bi)2基热电器件和Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118042907A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311837618.9

申请日：2023-12-27

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 张倩 , 尹力 , 曹峰 , 毛俊

IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , B22F7/04

Abstract: 本发明涉及热电器件技术领域，提供了一种Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法，包括：热电器件接触层形成步骤：使Mg2Ni粉体被设置于Mg3(Sb,Bi)2基热电块体的设定表面；对Mg3(Sb,Bi)2基热电块体和Mg2Ni粉体进行烧结，于所述Mg3(Sb,Bi)2基热电块体的设定表面形成由Mg2Ni粉体烧结成型的Mg2Ni接触层。本发明所提供的一种Mg3(Sb,Bi)2基热电器件和Mg3(Sb,Bi)2基热电器件的制备方法，通过筛选合适的接触层材料及工艺，实现热膨胀系数匹配，减小了接触层与热电材料的界面热应力，并且有效控制了界面的元素扩散与反应，提高了热电器件接头的热稳定性，热电器件接头具有较低的界面接触电阻，较佳的连接效果以及良好的界面稳定性，可靠性高和服役寿命长。

Patent Agency Ranking