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公开(公告)号:CN118308625A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410252330.3
申请日:2024-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种钛氧硅复合材料及其制备方法,所述钛氧硅复合材料为固溶复合材料,所述钛氧硅复合材料中含有Si、O和Ti,其中氧元素的质量百分比含量为0.33wt.%‑2.08wt.%,硅元素和氧元素的质量百分比含量之和为不大于5wt.%。本发明的技术方案的钛氧硅复合材料,兼具高强度和大塑性,并具有良好的高温抗氧化能力,而且该钛氧硅复合材料具有良好的抗氧化能力和耐腐蚀性,在高温环境下,其表面形成的致密的复合氧化层,该致密的复合氧化层可以在高温下有效保护钛基体,避免氧气的腐蚀。
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公开(公告)号:CN119061305A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411121429.6
申请日:2024-08-15
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种AlFeNiTiV高熵合金材料及其制备方法,该高熵合金材料的成分为Al15FexNi30Ti15V40‑x,其中,30≤x≤40。本发明的技术方案通过对合金中BCC‑(Fe,V)相适当的成分调整得到的AlFeNiTiV高熵合金材料,具有固溶强化、晶界强化、第二相强化等多种强化手段协同增强效应,在牺牲较小密度的同时大幅度提升了合金的力学性能,表现出低密度、高强度、优异高温比屈服强度的优异性能。
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公开(公告)号:CN118751915A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410753140.X
申请日:2024-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种Cu/TiZrNbTa高熵合金复合材料及其制备方法,该制备方法包括:步骤S1,制备等原子比的TiZrNbTa高熵合金粉末;步骤S2,采用球磨法将Cu粉与所述TiZrNbTa高熵合金粉末混合,得到混合粉末,然后将混合粉末进行放电等离子体烧结;其中,所述TiZrNbTa高熵合金粉末在混合粉末的质量百分比为10‑30wt.%,放电等离子体烧结的温度为733K~853K,压力为550‑650MPa。本发明技术方案通过将Cu粉与TiZrNbTa高熵合金粉末进行混合烧结,利用难熔TiZrNbTa等原子比高熵合金作为增强体,使得Cu/TiZrNbTa高熵合金复合材料兼顾高强度和高导电性。
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公开(公告)号:CN118406919A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410442062.1
申请日:2024-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: C22C1/05 , C22C9/00 , B22F9/04 , B22F9/08 , B22F3/105 , B22F3/10 , B22F3/24 , H01B1/02 , H01L23/495 , B23P15/00
Abstract: 本申请涉及一种铜合金复合材料及其制备方法与应用,属于合金材料技术领域。本申请通过在Cu‑Cr‑Zr基体合金中掺入金属玻璃和稀土金属,并经球磨和烧结处理,制得微米级金属玻璃和亚微米级稀土金属氧化物混杂增强的铜合金复合材料,使材料的力学性能和导电性能更优异,安全性更好,适于在集成电路引线框架、电气机车架空导线、电阻焊电极或电触头等中的应用。
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公开(公告)号:CN117701929A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311601295.3
申请日:2023-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种AlCrCuFeNi高熵合金颗粒增强铜基复合材料,该材料的制备方法包括如下步骤:准备AlCrCuFeNi高熵合金颗粒,按照原子比,所述AlCrCuFeNi高熵合金的成分为Al15.38Cr15.38Cu15.38Fe15.38Ni38.48;将高熵合金颗粒与铜粉进行球磨混合得到混合物;其中高熵合金颗粒的质量百分比为10‑50wt.%;将混合物进行放电等离子体烧结得到AlCrCuFeNi高熵合金颗粒增强铜基复合材料,烧结温度为573K‑733K。本发明的技术方案在提高复合材料强度的同时保持较高的电导率,最终获得的复合材料表现出优异的力学性能与电学性能,具有广泛的应用前景。
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