一种屏蔽高能电子的高熵陶瓷氮化物防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116516286A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310413251.1

    申请日:2023-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种屏蔽高能电子的高熵陶瓷氮化物防护涂层及其制备方法,属于防辐射技术领域。本发明是利用不同元素高熵陶瓷氮化物中可形成固溶体,实现元素在材料中的均匀分布,充分考虑各元素在屏蔽过程中的协同作用,保持材料在屏蔽过程中的稳定性,在实现对高能电子有效屏蔽的同时尽量避免韧致辐射的产生。本发明是以铝、锆、钽、钛、铬、铜、钨、铁粉末中的5种为原料制得高熵合金靶材,然后以氩气作为工作气体、氮气为反应气体使用磁控溅射技术将高熵合金靶材溅射在金属基底上形成的。本发明适用于航天器的实际任务环境,可用于深空探测等领域。

    一种屏蔽高能电子的高熵陶瓷氮化物防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116516286B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202310413251.1

    申请日:2023-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种屏蔽高能电子的高熵陶瓷氮化物防护涂层及其制备方法,属于防辐射技术领域。本发明是利用不同元素高熵陶瓷氮化物中可形成固溶体,实现元素在材料中的均匀分布,充分考虑各元素在屏蔽过程中的协同作用,保持材料在屏蔽过程中的稳定性,在实现对高能电子有效屏蔽的同时尽量避免韧致辐射的产生。本发明是以铝、锆、钽、钛、铬、铜、钨、铁粉末中的5种为原料制得高熵合金靶材,然后以氩气作为工作气体、氮气为反应气体使用磁控溅射技术将高熵合金靶材溅射在金属基底上形成的。本发明适用于航天器的实际任务环境,可用于深空探测等领域。

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