公开(公告)号：CN119592165A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411757383.7

申请日：2024-12-03

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 李杨 ,  李京洋 ,  吴晓宏 ,  洪杨 ,  赵会阳 ,  秦伟

IPC: C09D163/00 ,  C09K3/00 ,  C09D7/62 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿/树脂复合材料的电子器件抗辐射加固方法，属于抗辐射加固领域。本发明的抗辐射加固方法包括路易斯碱改性钙钛矿粉体制备、路易斯碱改性钙钛矿/树脂浆料制备、电子器件抗辐射加固三部分，即将含有路易斯碱的前驱体溶液加入含有配体的反应溶剂中剧烈搅拌可制得路易斯碱改性的钙钛矿材料，之后将其与树脂复合并涂覆在电子器件表面，可达到对电子器件的抗辐射加固。本发明的钙钛矿/树脂复合材料与入射高能电子的相互作用显著衰减了辐射能量，进而减少了器件中的能量沉积，保证了电子器件在高能电子辐射下的电学性能稳定性。在航天工程、在射线医疗、核工程等领域也有广阔的应用前景。