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公开(公告)号：CN1648632A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009686.1
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 硅片键合强度的测量方法，它涉及的是材料键合强度测量的技术领域。它的测量步骤是：分别测量键合硅片1中晶片1－1的厚度tw1、晶片1－2的厚度tw2001；把刀片2匀速插入1－1与1－2的结合面中，并使刀片2的刀口完全插入其结合面中，将晶片1－1与晶片1－2部分分离；刀片2的厚度tb为100μm～230μm；使刀片2的刀刃线与晶片1－1、晶片1－2的结合面相平行002；测量晶片1－1与晶片1－2分离部分中裂缝3的长度值L003；根据键合片部分分开的弹性力与开裂顶端的键合力相平衡的原理来计算键合强度值γ004。本发明能对硅片键合强度进行定量测量，其测量方法简单容易、测量结果可靠、对测量环境要求低，并具有很大的通用性和准确性。
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公开(公告)号：CN1312465C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510009688.0
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于测量硅片键合强度的装置，涉及的是材料键合强度测量的技术领域。它由底座(1)、红外光源(2)、垂直升降移动装置(3)、刀具(4)、水平横向移动装置(5)、硅片夹具(6)、红外摄像机(7)、显微镜三维移动装置(8)、光学显微镜(9)、中心控制电路(10)组成。本发明能对硅片键合强度进行定量测量，并具有结构简单、维护容易、测量工艺简便、测量结果可靠、对测量环境要求低，同时还有很大的通用性和准确性。
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公开(公告)号：CN1648633A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009688.0
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于测量硅片键合强度的装置，它涉及的是材料键合强度测量的技术领域。5设置在1－1的右侧，并使5的底面与1的上端面相连接，6的底面连接在5上端面的左侧，7的底面连接在5上端面的右侧，3底端面的左侧连接在1－1的上端面上，4的一个侧面的上端连接在3的下端右侧面上，2的右端面连接在1－1的左侧端面上，8设置在5的前侧，并使8的底面与1的上端面相连接，9的低端面连接在8的上端面上；2的输入端、3的输入端、5的输入端、9的输出端、7的输出端分别连接中心控制电路10的各信号输入端。本发明能对硅片键合强度进行定量测量，并具有结构简单、维护容易、测量工艺简便、测量结果可靠、对测量环境要求低，同时还有很大的通用性和准确性。
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