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公开(公告)号：CN112244848A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011051491.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，本发明属于先进的微加工技术领域，它要解决柔性MEAs在高时空分辨率下操作，生产效率较低的问题。制备方法：一、对硅衬底进行等离子体清洗；二、在硅衬底表面沉积铝牺牲层；三、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材多次旋涂在铝牺牲层上；四、光刻聚酰亚胺层图案化定型，电感耦合等离子体刻蚀处理；五、通过光刻工艺形成微电极网络和互连板；六、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材旋涂在底层聚酰亚胺上，使用光致抗蚀剂掩蔽晶片，以限定互连线和焊盘；七、去除铝牺牲层。本发明中以6英寸高阻硅片为基片，结合柔性聚酰亚胺可以在单片上大批量生产25个MEAs。记录位置以高时空分辨率紧凑排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112244848B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202011051491.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于皮层脑电图的多通道MEAs的制备方法，本发明属于先进的微加工技术领域，它要解决柔性MEAs在高时空分辨率下操作，生产效率较低的问题。制备方法：一、对硅衬底进行等离子体清洗；二、在硅衬底表面沉积铝牺牲层；三、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材多次旋涂在铝牺牲层上；四、光刻聚酰亚胺层图案化定型，电感耦合等离子体刻蚀处理；五、通过光刻工艺形成微电极网络和互连板；六、将非光敏聚酰亚胺MEAs基材旋涂在底层聚酰亚胺上，使用光致抗蚀剂掩蔽晶片，以限定互连线和焊盘；七、去除铝牺牲层。本发明中以6英寸高阻硅片为基片，结合柔性聚酰亚胺可以在单片上大批量生产25个MEAs。记录位置以高时空分辨率紧凑排列。
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公开(公告)号：CN113985396A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111224147.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 应用于电磁介质材料表征的叉指微波传感器，本发明要解决现有基于谐振的平面微波传感器难以有效测量被测材料的介电常数和磁导率，传感器Q值低的问题。本发明叉指微波传感器为三层结构，底层包括接地的金属片，中间层包括介电层，顶层包括微带线结构，其中微带线结构是在单环微带线的环内设置有第一悬臂微带线、第二悬臂微带线和第三悬臂微带线，第一悬臂微带线、第二悬臂微带线和第三悬臂微带线平行相对设置，第一叉指电容设置在第一悬臂微带线和第二悬臂微带线之间，第二叉指电容设置在第二悬臂微带线和第三悬臂微带线之间。本发明基于单环谐振器与叉指微带线的结构能有效地测试介电常数和磁导率对谐振频率和Q因数的影响，提高了检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113140527A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110405372.2
申请日：2021-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/34 , H01L29/772 , H01L21/50 , G01K7/18 , G01R31/26
Abstract: 可实时精准监测温度和射频特性的功率器件及其封装方法，本发明要解决现有集成高功率功率器件难以监测温度和射频特性的问题。本发明可实时监测温度和射频特性的功率器件包括至少一个功率晶体管、PAD和温度/射频特性检测部，由单个功率晶体管或多个功率晶体管并联连接形成功率部件，PAD与功率部件间隔设置，温度/射频特性检测部的一端与PAD相连，温度/射频特性检测部的另一端接地或者与功率晶体管的源极相连。本发明从晶圆级分析：用引线将功率三极管的结温传输到芯片外部，即可检测芯片的结温；从封装级分析：在封装散热板上贴装芯片粘接薄膜以及完成薄膜电阻的对外连接，可精准监控封装后功率晶体管的发热情况。
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公开(公告)号：CN113985396B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202111224147.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 应用于电磁介质材料表征的叉指微波传感器，本发明要解决现有基于谐振的平面微波传感器难以有效测量被测材料的介电常数和磁导率，传感器Q值低的问题。本发明叉指微波传感器为三层结构，底层包括接地的金属片，中间层包括介电层，顶层包括微带线结构，其中微带线结构是在单环微带线的环内设置有第一悬臂微带线、第二悬臂微带线和第三悬臂微带线，第一悬臂微带线、第二悬臂微带线和第三悬臂微带线平行相对设置，第一叉指电容设置在第一悬臂微带线和第二悬臂微带线之间，第二叉指电容设置在第二悬臂微带线和第三悬臂微带线之间。本发明基于单环谐振器与叉指微带线的结构能有效地测试介电常数和磁导率对谐振频率和Q因数的影响，提高了检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113015349A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110227273.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 内置输入输出电路的功率放大器的封装制造方法，本发明涉及一种内置输入输出电路的功率放大器的封装方法，它为了解决现有高效率功率放大器是由介质电路板和介电封装层叠而成，导致制造过程复杂的问题。封装制造方法：一、在介电衬底上形成功率放大器沟槽；二、在功率放大器沟槽的左右两侧印刷输入输出匹配网络的金属图案；三、采用化学镀镍钯浸金工艺对金属图案进行表面处理；四、对带有金属图案的衬底进行烧结处理；五、通过铜焊接工艺将多个引线框分别附着到输入输出匹配网络的金属图案的槽口内；六、设置功率放大器。本发明将输入输出集成匹配电路内置在介电衬底上，将功率放大器放置在与输入输出电路相同的平面上，制造工序效率高。
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