公开(公告)号：CN103996835A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410263579.0

申请日：2014-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高云智 ,  陈思源 ,  颜世银

IPC: H01M4/38

CPC classification number: H01M4/386 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料及其制备方法与应用。所述硅基负极材料以单质硅为基底，在基底外包覆有硅烷偶联剂修饰层，制备方法为：将硅烷偶联剂与硅粉进行超声共混，在保护气氛中于一定温度下回流，对硅粉进行修饰；将混合溶液洗涤、抽滤、真空干燥。上述方法制备的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料掺杂在石墨中可用于制备锂离子电池的负极材料。本发明用硅烷偶联剂改性硅粉，在硅基底表面形成包覆修饰层，由于硅烷偶联剂的桥梁作用，硅基底和最外层的导电聚合物结合紧密，能有效阻止硅材料的膨胀粉化效应，使硅基负极材料具有较高的首次库伦效率与较好的循环稳定性，以满足动力电池的要求。

公开(公告)号：CN104852050B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201510296490.9

申请日：2015-06-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高云智 ,  颜世银 ,  马刊 ,  王龙 ,  尹鸽平

IPC: H01M4/60 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明公开了一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用，所述材料以SiO为基底，在其上修饰一层硅烷化合物，制备方法为：一、将硅烷化合物水解，使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解，生成低聚合度的硅氧烷，同时将SiO粉末于水‑乙醇混合液中进行超声处理；二、水解后的硅烷化合物与SiO混合，在惰性气体氛围下回流升温反应；三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥。上述具有硅烷化物修饰层的SiO负极材料可与石墨混合用作锂离子电池负极材料。本发明通过在材料表面修饰一层有机硅化合物，解决由于硅材料在充放电过程中粉化导致的容量衰减快的问题。所采取的工艺路线方便、简单可，易于操作，而且所需材料成本较低，利于工厂大规模生产。

公开(公告)号：CN104852050A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510296490.9

申请日：2015-06-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高云智 ,  颜世银 ,  马刊 ,  王龙 ,  尹鸽平

IPC: H01M4/60 ,  H01M4/139

CPC classification number: H01M4/60 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明公开了一种硅烷化合物修饰SiO负极材料及其制备方法及应用，所述材料以SiO为基底，在其上修饰一层硅烷化合物，制备方法为：一、将硅烷化合物水解，使与硅原子相连的偶联剂的化学键发生水解，生成低聚合度的硅氧烷，同时将SiO粉末于水-乙醇混合液中进行超声处理；二、水解后的硅烷化合物与SiO混合，在惰性气体氛围下回流升温反应；三、将所述混合溶液进行离心、真空干燥。上述具有硅烷化物修饰层的SiO负极材料可与石墨混合用作锂离子电池负极材料。本发明通过在材料表面修饰一层有机硅化合物，解决由于硅材料在充放电过程中粉化导致的容量衰减快的问题。所采取的工艺路线方便、简单可，易于操作，而且所需材料成本较低，利于工厂大规模生产。