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公开(公告)号：CN115063385B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762670.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及晶圆检测技术领域，公开了一种用于晶圆检测的机器视觉方法，包括以下步骤：步骤1：采用ImageNet1000数据集预训练MAE模型，并采用公共工业数据集对MAE模型进行初次微调；步骤2：确认待检测晶圆数据；并对MAE模型进行二次微调，得到改进MAE模型；步骤3：筛选标准训练样本；所述标准训练样本内仅包含有合格晶圆样本；步骤4：改进MAE模型基于标准训练样本进行特征提取并构建记忆库；步骤5：由改进MAE模型对待检测晶圆数据进行特征提取；步骤6：按照比对策略比对标准Patch Embedding和待检测晶圆数据的Patch Embedding，并判定得到待检测晶圆数据的合格Patch；步骤7：根据合格Patch确定并分割待检测晶圆数据的异常区域。本发明能够精准检测晶圆，识别精准度较高。
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公开(公告)号：CN119838506A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510087964.2
申请日：2025-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 嘉兴固美科技有限公司
IPC: B01J3/08
Abstract: 本发明公开了一种工业级大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法，本发明则采用Fe、Ni、Cr、Fe/Ni、Fe/Cr及Ni/Cr合金作为金属熔体，并利用高纯氮化硼管进行包裹，在超高温条件下可实现厘米级甚至接近英寸级高质量的h‑BN块体单晶的快速生长。本发明提供的接触方式可快速在高温高压下实现B及N原子的快速溶解到熔体中，减少保温时间，同时有效控制六方氮化硼的形核位置及形核量，控制晶体自接触位置向熔体中心生长，而且晶体的生长充满整个熔体，可大幅提高单晶的产量，同时熔体仅与母体原料接触，可防止外界杂质的进入，保证单晶的高洁净度。
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公开(公告)号：CN119838505A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510087965.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 嘉兴固美科技有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种三元氮化物的快速制备方法，包括以下步骤：将三元金属盐与过量的氨基钠按照三元金属盐‑氨基钠‑三元金属盐的分层方式进行装料，然后在1～6 GPa的压力下反应得到该三元金属盐对应的三元氮化物晶体。本发明采用高压封闭法可以有效地抑制三元氮化物产物的分解，从而合成出质量较高且符合化学计量比的晶体，甚至可以得到单晶样品。与传统的高压封闭法相比，可以有效降低合成所需温度，并提高质量传输，这不仅提高了合成实验的效率和稳定性，还降低了实验成本，反应速率可以得到有效控制，避免反应过程中由于剧烈放热导致的压机发生“放炮”的危险。
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公开(公告)号：CN119772209A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510003243.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) , 嘉兴固美科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种3D打印金属材料及其改性方法，涉及金属改性技术领域。本申请提供的3D打印金属材料的改性方法以激光3D打印的金属钛/钛合金为初始材料，依次形成包裹材料和封装层得到合成块，再通过直接高压处理工艺，得到强韧性的3D打印金属钛。这是因为超高压可以抑制原子的长程扩散，避免晶粒在高温下发生粗化；同时高压可以使金属钛/钛合金内部产生晶粒细化，从而提升其强度；高压可以修复金属构件内部的孔洞和微裂纹等缺陷；高温高压下可使金属件内部产生更多位错、孪晶等强化缺陷结构；高压下的高温热处理可消除残余应力和不均匀相的分布，提升延展性。
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公开(公告)号：CN119371126A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411341087.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 深圳市建设(集团)有限公司 , 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 为克服现有技术废玻璃作为碱激发剂激发固废时，未充分发挥废玻璃作为硅基固废的作用，且硅基固废回用量少的缺点，提供一种硅铝基固废制备胶凝材料的方法，包括：S1、将碱激发辅助剂粉料和硅基固废混合均匀，加水搅拌至活性硅的溶出量达到目标值，得到碱激发前驱体浆料；S2、在碱性激发前驱体浆料中加入硅基固废和铝基固废，搅拌，得到碱激发固废浆料；S3、将碱激发固废浆料置于模具，50‑70℃下固化20‑24h得到胶凝材料；碱激发辅助剂为NaOH或KOH；硅基固废为：废玻璃和/或石英尾矿；铝基固废为：粉煤灰。本发明的硅基固废既提供活性硅，未反应的部分又具有填充作用，提高胶凝材料的强度，充分地利用了硅基固废。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118152996A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410287598.0
申请日：2024-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: G06F21/10 , G06T1/00 , G06T5/10 , G06N3/0455 , G06N3/094
Abstract: 本发明公开了一种基于扩散模型的图像版权保护方法，包括：获取目标图像，并通过扩散模型的加噪过程得到的噪声图像；对所述噪声图像进行离散小波变换，得到对应的频域系数；通过改变所述频域系数的符号，将水印信息嵌入所述频域系数中，得到嵌入水印信息后的频域系数；对所述嵌入水印信息后的频域系数进行逆向离散小波变换，得到对应的水印噪声图像；基于所述扩散模型将所述水印噪声图像重建为与所述目标图像视觉效果相同的水印图像。本发明利用扩散模型向目标图像变换后的噪声图像中添加水印信息，提高了嵌入水印后的图像质量，并提高了水印信息的隐蔽性，增加了水印对于多种水印消除算法的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN117746102A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311624219.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/762 , G06V10/82 , G06V10/74 , G06V10/77 , G06T7/00
Abstract: 本发明属于半导体晶圆检测技术领域，具体涉及一种用于晶圆缺陷分类的机器视觉方法、设备及存储介质。其中一种用于晶圆缺陷分类的机器视觉方法包括：S1：拟合正样本数据，建立正样本模型；S2：将样品晶圆数据输入所述正样本模型，通过特征信息比对，筛选出负样本数据；S3：对所述负样本数据进行聚类分析，获得缺陷种类；S4：输入生产线上采集到的晶圆数据进行比对，当判断所检测的晶圆为具有缺陷的晶圆时，与所述缺陷种类进行比对，获得有缺陷的晶圆的缺陷分类结果。其目的是：解决传统的晶圆检测过程中只能识别出晶圆是否为缺陷产品，无法对具有缺陷的晶圆的缺陷进行分类的问题。
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公开(公告)号：CN117593604A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311608733.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种自适应晶圆正样本筛选方法，包括：阶段1，采用缺陷模拟策略，生成模拟缺陷样本；阶段2，设置训练集和测试集；所述训练集中包括由整片晶圆分割而成的多个Die；所述测试集中包括模拟缺陷样本和正样本；采用预设迭代算法，基于测试集对训练集中的样本进行数据清洗，并筛选得到训练集中的正样本。本发明无需人工干预即可实现对晶圆样本的正样本筛选，能够为后续基于正样本的无监督异常检测模型提供大规模的正样本训练集，有助于降低样本采集成本，提高采集效率和精准度。
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公开(公告)号：CN116485779B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310527789.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06T3/04 , G06T3/4007 , G06T7/11 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/40 , G06N3/0464 , G06N3/088
Abstract: 本申请提供一种自适应晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及缺陷检测技术领域。方法包括：获取通过相机拍摄晶圆得到的相机图像；对相机图像进行预处理，以得到待检图像；将待检图像输入经过训练的预设缺陷检测模型，以得到表征晶圆是否存在缺陷的检测结果，其中，预设缺陷检测模型是基于无监督算法PaDim构建得到的；当检测结果为晶圆存在缺陷时，通过预设图像分割策略，从相机图像中分割出表征缺陷区域的图像，以作为图像分割结果。如此，可以改善当下基于机器视觉检测晶圆缺陷的方式，存在缺陷样本难采集、人力成本高昂、复杂环境下的缺陷检测鲁棒性不足的问题。
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公开(公告)号：CN116500042B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310516332.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本申请提供一种缺陷检测方法、装置、系统及存储介质，涉及缺陷检测技术领域。缺陷检测系统包括条纹光源和相机。方法包括：获取相机拍摄条纹光源照射下的待检物得到的相机图像；对相机图像进行预处理，以得到待检图像；将待检图像输入经过训练的、基于PatchCore算法构建得到的预设缺陷检测模型，以得到待检图像中的缺陷特征与预设缺陷检测模型中的特征库对比后生成的异常得分热力图。如此，可以改善常规检测算法在进行微弱凹凸缺陷检测时，缺陷的召回率低、漏检率大、准确性不足的问题。
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