采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线

    公开(公告)号:CN106329081A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610990082.8

    申请日:2016-11-10

    Inventor: 王楠楠 房牧 陈悦

    CPC classification number: H01Q1/38 H01Q1/36 H01Q1/50 H01Q13/08

    Abstract: 采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线,涉及天线领域。本发明是为了解决在保留传统平衡对拓维瓦尔第天线低交叉极化的优点的同时,解决传统平衡维瓦尔第天线的非对称性,所导致天线E面主瓣偏移的问题。每层地板金属层附着在1层介质基板层的下表面,导体金属层附着在位于下层的介质基板层的上表面,导体金属层和地板金属层分别向两侧延展形成金属臂,地板金属层金属臂与导体金属层金属臂成对称结构,金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构,剔除位于导体金属层的内侧曲线和下层地板金属层的内侧曲线之间的下层介质基板层,且剔除后的下层介质基板层比地板金属层的内侧曲线多出一段介质。它用于工作在10-40GHz的工作频率内。

    采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线

    公开(公告)号:CN106329081B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201610990082.8

    申请日:2016-11-10

    Inventor: 王楠楠 房牧 陈悦

    Abstract: 采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线,涉及天线领域。本发明是为了解决在保留传统平衡对拓维瓦尔第天线低交叉极化的优点的同时,解决传统平衡维瓦尔第天线的非对称性,所导致天线E面主瓣偏移的问题。每层地板金属层附着在1层介质基板层的下表面,导体金属层附着在位于下层的介质基板层的上表面,导体金属层和地板金属层分别向两侧延展形成金属臂,地板金属层金属臂与导体金属层金属臂成对称结构,金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构,剔除位于导体金属层的内侧曲线和下层地板金属层的内侧曲线之间的下层介质基板层,且剔除后的下层介质基板层比地板金属层的内侧曲线多出一段介质。它用于工作在10‑40GHz的工作频率内。

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