公开(公告)号：CN118685641A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410715862.6

申请日：2024-06-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈瑞润 ,  任浩 ,  陈峣 ,  陈德志 ,  秦刚 ,  王亮 ,  吴士平 ,  苏彦庆 ,  郭景杰

IPC: C22C1/02 ,  C22C30/00

Abstract: 一种抑制氧化层/基体界面缺陷形成的高温抗氧化高熵合金的制备方法，本发明涉及一种抑制氧化层/基体界面缺陷形成的高温抗氧化高熵合金的制备方法。本发明的目的是为了解决现有AlCoCrFeNi高熵合金在长时间高温环境下氧化层褶皱和氧化层/基体界面处孔洞、裂纹与S元素偏聚等缺陷问题，本发明抑制氧化层/基体界面缺陷形成的高温抗氧化高熵合金的表达式为(AlCoCrFeNi)99.9Sc0.1。本发明引入适量Sc元素进行改性，1100℃高温环境可完全抑制氧化层褶皱和氧化层/基体界面处的孔洞、裂纹以及S元素偏聚等界面缺陷，增强Al2O3氧化层与基体的结合力，具有良好的抗剥落性能，本发明应用于高熵合金领域。