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发明公开
磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法无效

公开(公告)号：CN101310922A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810064046.4

申请日：2008-02-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张飞虎 , 郭少龙 , 张勇

IPC: B24B9/14 , B24B7/22 , C30B29/14

Abstract: 磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法，它涉及晶体的抛光方法。它解决了现有超精密加工方法加工KDP晶体时晶体表面会产生小尺度波纹和粒子嵌入、晶体表面难以清洗以及加工效率低、成本高的问题。本发明方法为：一、采用KDP晶体抛光装置；二、采用现有切削技术对KDP晶体(4)坯料的待抛光面进行预处理；三、对载样盘(5)纵向施加一定压力；四、使潮解抛光液或水蒸气潮解经步骤二预处理后的KDP晶体表面；五、启动载样盘(5)的控制开关和抛光盘(3)的控制开关，对经步骤二预处理后的KDP晶体的表面进行潮解抛光。本发明的方法新颖、独特、简单、加工效率高、成本低，加工的KDP晶体表面无小尺度波纹，无粒子嵌入，容易清洗，表面粗糙度达到1～8nm。

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