公开(公告)号：CN101555626A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910071890.4

申请日：2009-04-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙亮 ,  杨春晖 ,  徐超 ,  王猛 ,  孙彧 ,  马天慧 ,  夏士兴 ,  吕维强 ,  郝素伟 ,  葛士彬 ,  邱海龙

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er－LiNbO3晶体及其制备方法。Mg/Er－LiNbO3晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er2O3掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。

公开(公告)号：CN101575734A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910071891.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙亮 ,  杨春晖 ,  徐超 ,  夏士兴 ,  马天慧 ,  王猛 ,  孙彧 ,  邱海龙 ,  葛士彬 ,  郝素伟 ,  吕维强

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。

公开(公告)号：CN101555625A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910071889.1

申请日：2009-04-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙亮 ,  杨春晖 ,  徐超 ,  马天慧 ,  夏士兴 ,  王猛 ,  孙彧 ,  葛士彬 ,  邱海龙 ,  吕维强 ,  郝素伟

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。