公开(公告)号：CN102583272A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019411.6

申请日：2012-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈刚 ,  邹贤 ,  金仁成 ,  邓明达 ,  闫春爽 ,  孙帅

IPC: C01B19/04

Abstract: 蠕虫状Sb2Se3储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种储氢材料及制备方法。是要解决现有的制备碳纳米管储氢材料的方法对设备要求严格、能耗量较大、且产物需要纯化的技术问题。蠕虫状Sb2Se3储氢材料是由酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖及混合溶剂采用溶剂热合成法制成的蠕虫状Sb2Se3。制备方法：将酒石酸锑钾、亚硒酸钠、葡萄糖和混合溶剂混合均匀后，加入反应釜反应，产物经洗涤后即得，该其蠕虫状Sb2Se3储氢材料直径为1～2μm，长度数十微米；每个蠕虫状Sb2Se3是由许多的Sb2Se3纳米片自组装而成的。该材料的放电容量高达248mAh g-1，纯度高达99％～100％，可应用于规模化储氢领域。

公开(公告)号：CN102583271A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019404.6

申请日：2012-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈刚 ,  闫春爽 ,  金仁成 ,  邓明达 ,  孙帅 ,  邹贤

IPC: C01B19/04

Abstract: 刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。本发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量大且产物需要纯化的技术问题。刺状Sb2Se3半导体储氢材料由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼用溶剂热合成法制成。方法：将K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼并混合后，进行水热反应，再过滤、洗涤、干燥即得。该材料比表面积4.3～4.5m2.g-1，放电容量203.3～210mA·h·g-1，纯度99％～100％，可用作电极材料。