公开(公告)号：CN110006776B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910298067.0

申请日：2019-04-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  邱宝付 ,  毛威 ,  扈延林 ,  沈岩 ,  丁永杰 ,  宁中喜 ,  于达仁 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: G01N5/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2273 ,  G01B11/30

Abstract: 一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法，本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法：一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工，得到试样；二、将试样置于靶台上，设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速；三、抽真空，通入气体工质，调整气体工质；四、启动离子源，依次设定离子能量、阳极电压及加速电压，设定离子束流及电子束流，进行溅射试验，得到溅射后的试样；五、计算溅射速率v及溅射产额Y，分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。

公开(公告)号：CN111410539A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010141645.2

申请日：2020-03-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  邱宝付 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/645

Abstract: 一种Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法，本发明涉及六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有六方氮化硼陶瓷难于烧结致密化及力学性能低的问题。方法：一、称取；二、混合；三、冷压成型；四、热压烧结。本发明用于Y-Al-Si-O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备。

公开(公告)号：CN111410539B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202010141645.2

申请日：2020-03-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  邱宝付 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/645

Abstract: 一种Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷，本发明涉及六方氮化硼基复相陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有六方氮化硼陶瓷难于烧结致密化及力学性能低的问题。方法：一、称取；二、混合；三、冷压成型；四、热压烧结。本发明用于Y‑Al‑Si‑O多元玻璃相增强六方氮化硼基复相陶瓷及其制备。

公开(公告)号：CN110006776A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910298067.0

申请日：2019-04-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  邱宝付 ,  毛威 ,  扈延林 ,  沈岩 ,  丁永杰 ,  宁中喜 ,  于达仁 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: G01N5/04 ,  G01N23/2251 ,  G01N23/2273 ,  G01B11/30

Abstract: 一种针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价方法，本发明涉及陶瓷材料抗溅射性能的评价方法。解决现有缺少对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的筛选与评价方法的问题。方法：一、将霍尔电推进器通道所用的陶瓷材料加工，得到试样；二、将试样置于靶台上，设定离子束流与试样法向夹角、离子源与试样的距离及靶台转速；三、抽真空，通入气体工质，调整气体工质；四、启动离子源，依次设定离子能量、阳极电压及加速电压，设定离子束流及电子束流，进行溅射试验，得到溅射后的试样；五、计算溅射速率v及溅射产额Y，分析溅射后的试样表面粗糙度、价键组成、元素含量及表面形貌。本发明用于针对霍尔电推进器通道材料抗溅射性能的评价。