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公开(公告)号：CN103243380B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN103305911A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号：CN103243380A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310143494.4
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
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公开(公告)号：CN103305911B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310196038.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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