公开(公告)号：CN119874379A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510077666.5

申请日：2025-01-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王墅 ,  谭建鹏 ,  陈瑞润 ,  张效夫 ,  王琪 ,  丁鑫 ,  陈德志 ,  方虹泽

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87 ,  C30B29/52 ,  C30B15/00

Abstract: 一种Hf‑C‑N复合材料超高温陶瓷坩埚的制备方法及使用该坩埚制备叶片的方法，它涉及电磁冶金技术领域。本发明解决了现有熔融合金与陶瓷坩埚长期相互作用导致的合金基体中的高氧吸附和陶瓷夹杂物污染的问题，以及无法满足市场需求的工业尺寸的问题。本发明的通过使用耐火材料Hf‑C‑N，其熔点较高，具有高相稳定性和机械性能以及抗烧蚀性，避免陶瓷材料对熔体污染和组织控制的影响，且坩埚内壁上涂有HfC‑20wt％SiC涂层以及可增强HfC‑20wt％SiC涂层与本体的内壁结合力的SiC涂层。有效控制合金‑坩埚之间的相互作用。制备的合金具有尺寸大、均匀性好以及后续加工方便的特点。本发明用于定向凝固Nb‑Si合金的制备。